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Complementary Metal Oxide Semiconductor (komplementärer Metalloxid-Halbleiter)
 
Complementary Metal Oxide Semiconductor (komplementärer Metalloxid-Halbleiter)
  
CMOS ist die wichtigste Technology für integrierte Schaltkreise. Als interne Schaltungselemente werden N-MOS und P-MOS Tansistoren verwand. Kann sowohl für digitale als auch analoge Schaltungen (z.B. Operationsverstärker) verwandt werden.
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CMOS ist die wichtigste Technologie für integrierte Schaltkreise und kann sowohl für digitale als auch analoge Schaltungen (z.B. Operationsverstärker) verwendet werden. Als interne Schaltungselemente werden N-MOS- und P-MOS-Tansistoren verwendet.  
  
 
== Eigenschaften ==
 
== Eigenschaften ==
* Betriebsspannung: 0 - 15V (typ. +3,3V und +5V)
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* Betriebsspannung: 0-15 V (typ. +3,3 V und +5 V)
* sehr empfindlich gegen statische Aufladung, kann aber IC intern geschützt werden
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* sehr empfindlich gegen statische Aufladung, kann aber IC-intern geschützt werden
* bei Digitalschaltungen ist die Stromaufnahme annäherned proportional zur Taktfrequenz
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* bei Digitalschaltungen ist die Stromaufnahme annähernd proportional zur Taktfrequenz
 
* fast immer sehr hoher Eingangswiderstand (>100 MOhm)
 
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* Ausgangsspannung bis an die Versorgungsspannung und GND möglich
 
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* Gatter und Schaltungen integrierter Schaltkreise (z.B. 4000er Serie CMOS-ICs)
 
* Gatter und Schaltungen integrierter Schaltkreise (z.B. 4000er Serie CMOS-ICs)
 
== Links ==
 
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* [http://tech-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/cmos/cmos_dt.html JAVA-Applet zur Demonstration von CMOS-Gattern]
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* [http://tech-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/cmos/cmos_dt.html JAVA-Applet zur Demonstration von CMOS-Gattern] (nicht mehr erreichbar, Stand 25.10.11)
 
[[Kategorie:Abkürzung]]
 
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Aktuelle Version vom 25. Oktober 2011, 20:59 Uhr

Definition

Complementary Metal Oxide Semiconductor (komplementärer Metalloxid-Halbleiter)

CMOS ist die wichtigste Technologie für integrierte Schaltkreise und kann sowohl für digitale als auch analoge Schaltungen (z.B. Operationsverstärker) verwendet werden. Als interne Schaltungselemente werden N-MOS- und P-MOS-Tansistoren verwendet.

Eigenschaften

  • Betriebsspannung: 0-15 V (typ. +3,3 V und +5 V)
  • sehr empfindlich gegen statische Aufladung, kann aber IC-intern geschützt werden
  • bei Digitalschaltungen ist die Stromaufnahme annähernd proportional zur Taktfrequenz
  • fast immer sehr hoher Eingangswiderstand (>100 MOhm)
  • Ausgangsspannung bis an die Versorgungsspannung und GND möglich

Anwendung

  • Gatter und Schaltungen integrierter Schaltkreise (z.B. 4000er Serie CMOS-ICs)

Links


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