https://rn-wissen.de/wiki/index.php?title=Feldeffekttransistor&feed=atom&action=historyFeldeffekttransistor - Versionsgeschichte2024-03-29T15:28:19ZVersionsgeschichte dieser Seite in RN-Wissen.deMediaWiki 1.25.1https://rn-wissen.de/wiki/index.php?title=Feldeffekttransistor&diff=23501&oldid=prevBMS: /* Verwendung für Schaltanwendungen */2014-01-18T09:18:53Z<p><span dir="auto"><span class="autocomment">Verwendung für Schaltanwendungen</span></span></p>
<table class='diff diff-contentalign-left'>
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<tr style='vertical-align: top;'>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">← Nächstältere Version</td>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">Version vom 18. Januar 2014, 09:18 Uhr</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L36" >Zeile 36:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 36:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Ein weiterer, wesentlicher Vorteil ist, dass sie leistungslos geschaltet werden. Wenn das Gate einmal auf eine bestimmte Spannung aufgeladen wurde, dann ist keine weitere Steuerleistung nötig. Bei bipolaren Transistoren muss die ganze Zeit ein relativ hoher Basisstrom fliessen. Allerdings hat das Gate eine relativ hohe Kapazität (ca. 1 nF für einen 10 A MOSFET). Um die Verluste beim Schalten zu minimieren, muss das Gate schnell geladen und wieder entladen werden. Dafür ist kurzzeitig ein relativ hoher Strom nötig. Aus diesem Grund gibt es fertige Treiberbausteine, wie den ICL7667, die das Gate sehr schnell umladen können. Ein schnelles Schalten des Mosfets ist insbesondere dann wichtig, wenn der Mosfet mit einer hohen Frequenz an- und ausgeschaltet wird (z.B. [[PWM]], Schaltnetzteile).  </div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Ein weiterer, wesentlicher Vorteil ist, dass sie leistungslos geschaltet werden. Wenn das Gate einmal auf eine bestimmte Spannung aufgeladen wurde, dann ist keine weitere Steuerleistung nötig. Bei bipolaren Transistoren muss die ganze Zeit ein relativ hoher Basisstrom fliessen. Allerdings hat das Gate eine relativ hohe Kapazität (ca. 1 nF für einen 10 A MOSFET). Um die Verluste beim Schalten zu minimieren, muss das Gate schnell geladen und wieder entladen werden. Dafür ist kurzzeitig ein relativ hoher Strom nötig. Aus diesem Grund gibt es fertige Treiberbausteine, wie den ICL7667, die das Gate sehr schnell umladen können. Ein schnelles Schalten des Mosfets ist insbesondere dann wichtig, wenn der Mosfet mit einer hohen Frequenz an- und ausgeschaltet wird (z.B. [[PWM]], Schaltnetzteile).  </div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Andererseits darf das Schalten auch nicht schneller erfolgen als der Rest der Schaltung es verträgt. Begrenzend sind hier z.B. <del class="diffchange diffchange-inline">ungewollte </del>Induktivitäten, die Erholzeiten von Dioden und die Gefahr von Funkstörungen. <del class="diffchange diffchange-inline">Für eine definierte Schaltzeit </del>wird <del class="diffchange diffchange-inline">oft </del>ein <del class="diffchange diffchange-inline">kleiner </del>Widerstand <del class="diffchange diffchange-inline">(ca. 100 Ohm) </del>vor das Gate geschaltet. <del class="diffchange diffchange-inline">Wichtig ist der </del>Widerstand <del class="diffchange diffchange-inline">besonders dann</del>, <del class="diffchange diffchange-inline">wenn der Aufbau nicht für hohe Frequenzen ausgelegt ist, denn sonst besteht die Gefahr, dass es zwischenzeitlich zu HF-Schwingungen und damit Funkstörungen kommt</del>. <del class="diffchange diffchange-inline">Wenn MOSFETs parallel geschaltet werden braucht jeder MOSFET getrennt einen </del>Widerstand <del class="diffchange diffchange-inline">am Gate</del>.  </div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Andererseits darf das Schalten auch nicht schneller erfolgen als der Rest der Schaltung es verträgt. Begrenzend sind hier z.B. <ins class="diffchange diffchange-inline">parasitäre </ins>Induktivitäten, die Erholzeiten von Dioden und die Gefahr von Funkstörungen. <ins class="diffchange diffchange-inline">Die Zuleitungsinduktivität zum Gate und die Gatekapazität bilden zusammen einen Schwingkreis. Damit es nicht ungewollt zu einer Resonanzüberhöhung kommt, </ins>wird ein Widerstand vor das Gate geschaltet<ins class="diffchange diffchange-inline">, um diesen potenziellen Schwingkreis zu bedämpfen</ins>. <ins class="diffchange diffchange-inline">Der </ins>Widerstand <ins class="diffchange diffchange-inline">wird im Bereich 5...100 Ohm gewählt. Bei kurzen Umschaltzeiten wird ein kleiner Widerstand gewählt</ins>, <ins class="diffchange diffchange-inline">bei langsamen Vorgängen ein großer Widerstand</ins>. <ins class="diffchange diffchange-inline">Der Aufladevorgang des Gates wird durch den </ins>Widerstand <ins class="diffchange diffchange-inline">leicht verzögert, dies fällt aber in den meisten Anwendungsgebieten nicht ins Gewicht</ins>.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>In der Praxis werden wesentlich häufiger N-Kanal Mosfets als P-Kanal Mosfets verwendet. Das liegt daran, dass sich die Elektronen im Halbleiter leichter bewegen können als Löcher. Aus diesem Grund haben N-Kanal Mosfets bei gleicher Chipfläche einen geringeren RDS_ON und damit geringere Verluste.  </div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins class="diffchange diffchange-inline">Wenn MOSFETs parallel geschaltet werden, braucht jeder MOSFET einen eigenen Widerstand am Gate. </ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div> </div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>In der Praxis werden wesentlich häufiger N-Kanal Mosfets als P-Kanal Mosfets verwendet. Das liegt daran, dass sich die Elektronen im Halbleiter leichter bewegen können als Löcher. Aus diesem Grund haben N-Kanal Mosfets bei gleicher Chipfläche einen geringeren RDS_ON und damit geringere Verluste.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Die folgende Schaltung zeigt die Verwendung eines MOSFETs zum Regeln eines Motors über [[PWM]]. Der eingezeichnete BS170 ist allerdings nur für kleine Lasten geeignet.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Die folgende Schaltung zeigt die Verwendung eines MOSFETs zum Regeln eines Motors über [[PWM]]. Der eingezeichnete BS170 ist allerdings nur für kleine Lasten geeignet.</div></td></tr>
</table>BMShttps://rn-wissen.de/wiki/index.php?title=Feldeffekttransistor&diff=23496&oldid=prevBesserwessi: /* Auswahl des passenden MOSFET */2014-01-08T19:54:56Z<p><span dir="auto"><span class="autocomment">Auswahl des passenden MOSFET</span></span></p>
<table class='diff diff-contentalign-left'>
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<tr style='vertical-align: top;'>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">← Nächstältere Version</td>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">Version vom 8. Januar 2014, 19:54 Uhr</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L51" >Zeile 51:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 51:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Als Hilfe bieten viel Händler und Hersteller eine parametrische Suche, um die Auswahl z.B. auf die passende Spannungsfestigkeit, Gehäuseform und den Preisrahmen zu begrenzen.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Als Hilfe bieten viel Händler und Hersteller eine parametrische Suche, um die Auswahl z.B. auf die passende Spannungsfestigkeit, Gehäuseform und den Preisrahmen zu begrenzen.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Sucht man etwa einen MOSFET um einen MOTOR mit maximal 3 A bei 12 V zu steuern, so genügt ein MOSFET für 20 V oder 30 V Spannungsfestigkeit.</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Sucht man etwa einen MOSFET um einen MOTOR mit maximal 3 A bei 12 V zu steuern, so genügt ein MOSFET für 20 V oder 30 V Spannungsfestigkeit<ins class="diffchange diffchange-inline">. Bei einer Verlustleistung von etwa 0,3 W ginge es ggf. noch ohne extra Kühlkörper - dies entspricht einem Spannungsabfall von 100 mV (ein realistischer Wert) oder etwa 33 mOhm als Widerstand. Passend wäre damit ein MOSFET mit weniger als rund 20-25 mOhm (im kalten Zustand) - etwa ein IRF7401 (20 V, 22 mOhm im SO8 SMD Gehäuse, oder etwa ein IRLZ44 (60 V, 28 mOhm TO220)</ins>.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Bauform Beispiel ==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Bauform Beispiel ==</div></td></tr>
</table>Besserwessihttps://rn-wissen.de/wiki/index.php?title=Feldeffekttransistor&diff=23495&oldid=prevBesserwessi: /* Verwendung für Schaltanwendungen */2014-01-08T18:15:57Z<p><span dir="auto"><span class="autocomment">Verwendung für Schaltanwendungen</span></span></p>
<table class='diff diff-contentalign-left'>
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<tr style='vertical-align: top;'>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">← Nächstältere Version</td>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">Version vom 8. Januar 2014, 18:15 Uhr</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L32" >Zeile 32:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 32:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Verwendung für Schaltanwendungen ==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Verwendung für Schaltanwendungen ==</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>MOSFETs werden oft für Schaltanwendungen verwendet, da sie größere Leistungen als bipolare Transistoren schalten können und geringere Verluste haben. Anders als bipolare Transistoren können MOSFETs als Schalter (d.h. bei kleiner Drain-Source Spannung, oder ausgeschaltet) problemlos parallelgeschaltet werden<del class="diffchange diffchange-inline">. Ein weiterer, wesentlicher Vorteil ist, dass sie leistungslos geschaltet werden. Wenn das Gate einmal auf eine bestimmte Spannung aufgeladen wurde, dann ist keine weitere Steuerleistung nötig. Bei bipolaren Transistoren muss die ganze Zeit ein relativ hoher Basisstrom fliessen. Allerdings hat das Gate eine relativ hohe Kapazität (ca. 1 nF für einen 10 A MOSFET). Um die Verluste beim Schalten zu minimieren, muss das Gate schnell geladen und wieder entladen werden. Dafür ist kurzzeitig ein relativ hoher Strom nötig. Aus diesem Grund gibt es fertige Treiberbausteine, wie den ICL7667, die das Gate sehr schnell umladen können. Ein schnelles Schalten des Mosfets ist insbesondere dann wichtig, wenn der Mosfet mit einer hohen Frequenz an- und ausgeschaltet wird (z.B. [[PWM]], Schaltnetzteile)</del>.  </div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>MOSFETs werden oft für Schaltanwendungen verwendet, da sie größere Leistungen als bipolare Transistoren schalten können und geringere Verluste haben. Anders als bipolare Transistoren können MOSFETs als Schalter (d.h. bei kleiner Drain-Source Spannung, oder ausgeschaltet) problemlos parallelgeschaltet werden.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Andererseits darf das Schalten auch nicht schneller erfolgen als der Rest der Schaltung es verträgt. Begrenzend sind hier z.B. ungewollte Induktivitäten, die <del class="diffchange diffchange-inline">Erhohlzeiten </del>von Dioden und die Gefahr von Funkstörungen. Für eine definierte Schaltzeit wird oft ein kleiner Widerstand (ca. 100 Ohm) vor das Gate geschaltet. Wichtig ist der Widerstand besonders dann, wenn der Aufbau nicht für hohe Frequenzen ausgelegt ist, denn sonst besteht die Gefahr, dass es zwischenzeitlich zu HF-Schwingungen und damit Funkstörungen kommt.  </div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins class="diffchange diffchange-inline">Ein weiterer, wesentlicher Vorteil ist, dass sie leistungslos geschaltet werden. Wenn das Gate einmal auf eine bestimmte Spannung aufgeladen wurde, dann ist keine weitere Steuerleistung nötig. Bei bipolaren Transistoren muss die ganze Zeit ein relativ hoher Basisstrom fliessen. Allerdings hat das Gate eine relativ hohe Kapazität (ca. 1 nF für einen 10 A MOSFET). Um die Verluste beim Schalten zu minimieren, muss das Gate schnell geladen und wieder entladen werden. Dafür ist kurzzeitig ein relativ hoher Strom nötig. Aus diesem Grund gibt es fertige Treiberbausteine, wie den ICL7667, die das Gate sehr schnell umladen können. Ein schnelles Schalten des Mosfets ist insbesondere dann wichtig, wenn der Mosfet mit einer hohen Frequenz an- und ausgeschaltet wird (z.B. [[PWM]], Schaltnetzteile). </ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div> </div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Andererseits darf das Schalten auch nicht schneller erfolgen als der Rest der Schaltung es verträgt. Begrenzend sind hier z.B. ungewollte Induktivitäten, die <ins class="diffchange diffchange-inline">Erholzeiten </ins>von Dioden und die Gefahr von Funkstörungen. Für eine definierte Schaltzeit wird oft ein kleiner Widerstand (ca. 100 Ohm) vor das Gate geschaltet. Wichtig ist der Widerstand besonders dann, wenn der Aufbau nicht für hohe Frequenzen ausgelegt ist, denn sonst besteht die Gefahr, dass es zwischenzeitlich zu HF-Schwingungen und damit Funkstörungen kommt<ins class="diffchange diffchange-inline">. Wenn MOSFETs parallel geschaltet werden braucht jeder MOSFET getrennt einen Widerstand am Gate</ins>.  </div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>In der Praxis werden wesentlich häufiger N-Kanal Mosfets als P-Kanal Mosfets verwendet. Das liegt daran, dass sich die Elektronen im Halbleiter leichter bewegen können als Löcher. Aus diesem Grund haben N-Kanal Mosfets bei gleicher Chipfläche einen geringeren RDS_ON und damit geringere Verluste.  </div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>In der Praxis werden wesentlich häufiger N-Kanal Mosfets als P-Kanal Mosfets verwendet. Das liegt daran, dass sich die Elektronen im Halbleiter leichter bewegen können als Löcher. Aus diesem Grund haben N-Kanal Mosfets bei gleicher Chipfläche einen geringeren RDS_ON und damit geringere Verluste.  </div></td></tr>
<tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L43" >Zeile 43:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 45:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>===Auswahl des passenden MOSFET===</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>===Auswahl des passenden MOSFET===</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Es gibt eine verwirrend große Auswahl an MOSFETs. Die im Datenblatt genannte Strombelastbarkeit ist eher theoretischer Natur<del class="diffchange diffchange-inline">, genutzt </del>wird <del class="diffchange diffchange-inline">meist </del>nur einer kleiner Teil davon - wichtiger ist meist der On-Widerstand: darüber berechnen sich die Verluste im eingeschalteten Zustand. Hierbei ist allerdings meist der Widerstand bei erhöhter Temperatur von Bedeutung, und der kann etwa um den Faktor 1,5-2 höher liegen als der oben im Datenblatt genannte.  Größere MOSFETs  mit kleinerem Widerstand haben allerdings auch eine größere Gate-kapazität und damit mehr Verluste beim Umschalten. Je höher die Schaltfrequenz, desto wichtiger ist es hier einen guten Kompromiss zu finden <del class="diffchange diffchange-inline">und die Spannungsfestigkeit nicht zu hoch zu wählen</del>. Eine unnötig hohe Spannungsfestigkeit führt zu hohem On-Widerstand bzw. unnötig großer Gate-Kapazität und hohem Preis.  Die Spannungsfestigkeit muss hoch genug sein, mehr als etwa 50% Reserve über der höchsten möglichen Spannung sind aber eher nicht nötig. Lediglich bei Linearbetrieb eine eine höhere Spannungsfestigkeit oft sinnvoll, da Typen für geringe Spannung oft <del class="diffchange diffchange-inline">schleicht </del>dafür geeignet sind.  </div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Es gibt eine verwirrend große Auswahl an MOSFETs. Die im Datenblatt genannte Strombelastbarkeit ist eher theoretischer Natur<ins class="diffchange diffchange-inline">: bei dem Strom </ins>wird <ins class="diffchange diffchange-inline">der sehr gut gekühlte MOSFET bereits grenzwertig heiß. Genutzt wird entsprechen </ins>nur einer kleiner Teil davon - wichtiger ist meist der On-Widerstand: darüber berechnen sich die Verluste im eingeschalteten Zustand. Hierbei ist allerdings meist der Widerstand bei erhöhter Temperatur von Bedeutung, und der kann etwa um den Faktor 1,5-2 höher liegen als der oben im Datenblatt genannte.  Größere MOSFETs  mit kleinerem Widerstand haben allerdings auch eine größere Gate-kapazität und damit mehr Verluste beim Umschalten. Je höher die Schaltfrequenz, desto wichtiger ist es hier einen guten Kompromiss zu finden. Eine unnötig hohe Spannungsfestigkeit führt zu hohem On-Widerstand bzw. unnötig großer Gate-Kapazität und <ins class="diffchange diffchange-inline">meist </ins>hohem Preis.  Die Spannungsfestigkeit muss hoch genug sein, mehr als etwa 50% Reserve über der höchsten möglichen Spannung sind aber eher nicht nötig. Lediglich bei Linearbetrieb eine eine <ins class="diffchange diffchange-inline">deutlich </ins>höhere Spannungsfestigkeit oft sinnvoll, da Typen für geringe Spannung oft <ins class="diffchange diffchange-inline">schlecht (oft nicht einmal spezifiziert) </ins>dafür geeignet sind<ins class="diffchange diffchange-inline">. Hier muss man auf die SOA Kurve (meist relativ weit hinten im Datenblatt) achten: Sie gibt an bei welcher Spannung (Drain-Source Spannung am MOSFET - nicht nicht die Versorgungsspannung) wie viel Strom fließen darf</ins>.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Ein weiterer wichtiger Parameter ist die Schwellspannung, bzw. welche Spannung für die Ansteuerung am Gate nötig ist. Zum Schalten wird eine Spannung deutlich (z.B. 2-3 V) über der Schwellspannung benötigt. MOSFETs, die zur Steuerung mit 5 V geeignet sind, sogenannte Logic level MOSFETs, erkennt man meist daran, dass im Datenblatt der On-Widerstand bei 4-5 V angeben ist. Der dazu <del class="diffchange diffchange-inline">angebene </del>Strom ist auch eine Hinweis auf den Strom der maximal realistisch nutzbar ist.</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Ein weiterer wichtiger Parameter ist die Schwellspannung, bzw. welche Spannung für die Ansteuerung am Gate nötig ist. Zum Schalten wird eine Spannung deutlich (z.B. 2-3 V) über der Schwellspannung benötigt. MOSFETs, die zur Steuerung mit 5 V geeignet sind, sogenannte Logic level MOSFETs, erkennt man meist daran, dass im Datenblatt der On-Widerstand bei 4-5 V angeben ist. Der dazu <ins class="diffchange diffchange-inline">angegebene </ins>Strom ist auch eine Hinweis auf den Strom der maximal realistisch nutzbar ist<ins class="diffchange diffchange-inline">. Für den Betrieb mit nur 3,3 V Gate-Spannung gibt es spezielle Low-Level MOSFETs</ins>.  </div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Als Hilfe bieten viel Händler und Hersteller eine parametrische Suche, um die Auswahl z.B. auf die passende Spannungsfestigkeit, Gehäuseform und den Preisrahmen zu begrenzen.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Als Hilfe bieten viel Händler und Hersteller eine parametrische Suche, um die Auswahl z.B. auf die passende Spannungsfestigkeit, Gehäuseform und den Preisrahmen zu begrenzen.</div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"></ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">Sucht man etwa einen MOSFET um einen MOTOR mit maximal 3 A bei 12 V zu steuern, so genügt ein MOSFET für 20 V oder 30 V Spannungsfestigkeit.</ins></div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Bauform Beispiel ==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Bauform Beispiel ==</div></td></tr>
</table>Besserwessihttps://rn-wissen.de/wiki/index.php?title=Feldeffekttransistor&diff=22544&oldid=prevBesserwessi: neuer Abschnitt: MOSFET Auswahl2013-04-20T17:17:28Z<p>neuer Abschnitt: MOSFET Auswahl</p>
<table class='diff diff-contentalign-left'>
<col class='diff-marker' />
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<tr style='vertical-align: top;'>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">← Nächstältere Version</td>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">Version vom 20. April 2013, 17:17 Uhr</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L41" >Zeile 41:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 41:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Bild:fetschaltstufe.jpg|center]]</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Bild:fetschaltstufe.jpg|center]]</div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"></ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">===Auswahl des passenden MOSFET===</ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">Es gibt eine verwirrend große Auswahl an MOSFETs. Die im Datenblatt genannte Strombelastbarkeit ist eher theoretischer Natur, genutzt wird meist nur einer kleiner Teil davon - wichtiger ist meist der On-Widerstand: darüber berechnen sich die Verluste im eingeschalteten Zustand. Hierbei ist allerdings meist der Widerstand bei erhöhter Temperatur von Bedeutung, und der kann etwa um den Faktor 1,5-2 höher liegen als der oben im Datenblatt genannte.  Größere MOSFETs  mit kleinerem Widerstand haben allerdings auch eine größere Gate-kapazität und damit mehr Verluste beim Umschalten. Je höher die Schaltfrequenz, desto wichtiger ist es hier einen guten Kompromiss zu finden und die Spannungsfestigkeit nicht zu hoch zu wählen. Eine unnötig hohe Spannungsfestigkeit führt zu hohem On-Widerstand bzw. unnötig großer Gate-Kapazität und hohem Preis.  Die Spannungsfestigkeit muss hoch genug sein, mehr als etwa 50% Reserve über der höchsten möglichen Spannung sind aber eher nicht nötig. Lediglich bei Linearbetrieb eine eine höhere Spannungsfestigkeit oft sinnvoll, da Typen für geringe Spannung oft schleicht dafür geeignet sind. </ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"></ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">Ein weiterer wichtiger Parameter ist die Schwellspannung, bzw. welche Spannung für die Ansteuerung am Gate nötig ist. Zum Schalten wird eine Spannung deutlich (z.B. 2-3 V) über der Schwellspannung benötigt. MOSFETs, die zur Steuerung mit 5 V geeignet sind, sogenannte Logic level MOSFETs, erkennt man meist daran, dass im Datenblatt der On-Widerstand bei 4-5 V angeben ist. Der dazu angebene Strom ist auch eine Hinweis auf den Strom der maximal realistisch nutzbar ist.</ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"></ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">Als Hilfe bieten viel Händler und Hersteller eine parametrische Suche, um die Auswahl z.B. auf die passende Spannungsfestigkeit, Gehäuseform und den Preisrahmen zu begrenzen.</ins></div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Bauform Beispiel ==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Bauform Beispiel ==</div></td></tr>
</table>Besserwessihttps://rn-wissen.de/wiki/index.php?title=Feldeffekttransistor&diff=17727&oldid=prevBMS: diverse Kleinigkeiten2011-07-26T14:18:35Z<p>diverse Kleinigkeiten</p>
<table class='diff diff-contentalign-left'>
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<tr style='vertical-align: top;'>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">← Nächstältere Version</td>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">Version vom 26. Juli 2011, 14:18 Uhr</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L1" >Zeile 1:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 1:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Der Feldeffekttransistor, meist als FET (Field Effect Transistor) bezeichnet, ist ein unipolarer [[Transistor]]. Unipolar deshalb, weil im Gegensatz des bipolaren Transistors, je nach Typ, entweder nur Löcher oder Elektronen am Stromtransport beteiligt sind.  </div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Der Feldeffekttransistor, meist als FET (Field Effect Transistor) bezeichnet, ist ein unipolarer [[Transistor]]. Unipolar deshalb, weil im Gegensatz des bipolaren Transistors, je nach Typ, entweder nur Löcher oder Elektronen am Stromtransport beteiligt sind.  </div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Der FET hat 3 Anschlüsse, Source (Zufluss, Quelle), Gate und Drain (Abfluss). Ein vierter Anschluss Bulk (Substrat) ist bei Einzeltransistoren i.d.R. mit Source verbunden und nicht extra herausgeführt.</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Der FET hat 3 Anschlüsse, Source (Zufluss, Quelle), Gate <ins class="diffchange diffchange-inline">(Tor) </ins>und Drain (Abfluss). Ein vierter Anschluss Bulk (Substrat) ist bei Einzeltransistoren i.d.R. mit Source verbunden und nicht extra herausgeführt.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Die Steuerspannung zwischen Gate und Source erzeugt ein elektrisches Feld. Die dazugehörigen Ladungen beeinflussen die Leitfähigkeit des Source-Drain-Kanals des Feldeffekt-Transistors. Je nach benutzter Isolierung wird zwischen MOSFET und JFET (Junction- oder Sperrschicht-FET) unterschieden.  </div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Die Steuerspannung zwischen Gate und Source erzeugt ein elektrisches Feld. Die dazugehörigen Ladungen beeinflussen die Leitfähigkeit des Source-Drain-Kanals des Feldeffekt-Transistors. Je nach benutzter Isolierung wird zwischen MOSFET und JFET (Junction- oder Sperrschicht-FET) unterschieden.  </div></td></tr>
<tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L14" >Zeile 14:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 14:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>==Schaltsymbole==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>==Schaltsymbole==</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>;N-MOSFET: [[Bild:Schaltsymbol NFET.png]]</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>;N-MOSFET <ins class="diffchange diffchange-inline">(Anreicherungstyp, selbstsperrend)</ins>: [[Bild:Schaltsymbol NFET.png]]</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>;P-MOSFET: [[Bild:Schaltsymbol PFET.png]]</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>;P-MOSFET <ins class="diffchange diffchange-inline">(Anreicherungstyp, selbstsperrend)</ins>: [[Bild:Schaltsymbol PFET.png]]</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>;N-Kanal JFET: [[Bild:Schaltsymbol JFETN.png]] [[Bild:Schaltsymbol JFETN2<del class="diffchange diffchange-inline">.png]]</del></div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>;N-Kanal JFET <ins class="diffchange diffchange-inline">(Verarmungstyp, selbstleitend)</ins>: [[Bild:Schaltsymbol JFETN.png]] [[Bild:Schaltsymbol JFETN2.png]]</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div> </div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div></div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><del class="diffchange diffchange-inline">;P-Kanal JFET: [[Bild:Schaltsymbol JFETP.png]] [[Bild:Schaltsymbol JFETP2</del>.png]]</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div></div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">;P-Kanal JFET (Verarmungstyp, selbstleitend): [[Bild:Schaltsymbol JFETP.png]] [[Bild:Schaltsymbol JFETP2.png]]</ins></div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>==JFET==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>==JFET==</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>JFETs nutzen einen in Sperrrichtung betriebenen p-n-Übergang, um das elektrische Feld zu bilden. Theoretisch kann er auch in Flussrichtung betrieben werden, was allerdings den Vorteil der leistungslosen Ansteuerung zunichte macht. Bei vielen JFETs gibt es keinen, oder wenig, Unterschied zwischen Drain und Source. Sie können also für beide Stromrichtungen benutzt werden.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>JFETs nutzen einen in Sperrrichtung betriebenen p-n-Übergang, um das elektrische Feld zu bilden. Theoretisch kann er auch in Flussrichtung betrieben werden, was allerdings den Vorteil der leistungslosen Ansteuerung zunichte macht. Bei vielen JFETs gibt es keinen, oder wenig, Unterschied zwischen Drain und Source. Sie können also für beide Stromrichtungen benutzt werden.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Ohne Gate-Source Spannung ist ein JFET leitend. Durch Spannung in Sperrichtung wird der Strom reduziert und erreicht bei der Abschnürrspannung schließlich <del class="diffchange diffchange-inline">0</del>. Bei kleinen Drain-Source Spannung verhält sich der JFET wie ein Spannungsgesteuerter Widerstand. Bei Drain-Source Spannung über etwa 1-2 V verhält sich ein JFET wie eine Spannungsgesteuerte Strombegrenzung. <del class="diffchange diffchange-inline">JFets </del>werden hauptsächlich als Schalter für Signalspannungen und als schnelle hochohmige Verstärker eingesetzt. Es gibt viele Operationsverstärker mit JFET Eingängen.</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Ohne Gate-Source Spannung ist ein JFET leitend. Durch Spannung in Sperrichtung wird der Strom reduziert und erreicht bei der Abschnürrspannung <ins class="diffchange diffchange-inline">(sog. pinch-off voltage) </ins>schließlich <ins class="diffchange diffchange-inline">0A</ins>. Bei kleinen Drain-Source Spannung verhält sich der JFET wie ein Spannungsgesteuerter Widerstand. Bei Drain-Source Spannung über etwa 1-2 V verhält sich ein JFET wie eine Spannungsgesteuerte Strombegrenzung. <ins class="diffchange diffchange-inline">JFETs </ins>werden hauptsächlich als Schalter für Signalspannungen und als schnelle hochohmige Verstärker eingesetzt. Es gibt viele Operationsverstärker mit JFET Eingängen.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Gebräuchliche N-Kanal JFETs sind: BF245, BF256, 2N4416. P-Kanal JFETs sind selten, es gibt sie aber.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Gebräuchliche N-Kanal JFETs sind: BF245, BF256, 2N4416. P-Kanal JFETs sind selten, es gibt sie aber.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>==MOSFET==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>==MOSFET==</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>MOSFETs haben eine dünne Oxidschicht als Isolierung zwischen Gate und dem Kanal. MOSFETs können so hergestellt werden, dass sie ohne Gate-Source Spannung sperren (Enhancement-Typ) oder leiten (Depletion-Typ). Die einzeln erhältlichen MOSFETs sind aber ohne Gate-Source-Spannung fast alle sperrend (Enhancement-Typ), P-Channel gibt es wohl nur als Enhancement-Typ. Ab einer Gate-Source-Spannung von z.B. +2 V (N-Channel FET) steigt die Leitfähigkeit bzw. der Drain-Source-Strom an. Für den maximalen Strom sind typisch 10 V oder bei sogenannten Logic-Level Mosfets ca. 4 V nötig. Die maximal zulässige Gate-Source-Spannung liegt je nach Typ bei etwa 20-30 V, bei Logic-Level FETs zum Teil darunter.</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>MOSFETs haben eine dünne Oxidschicht als Isolierung zwischen Gate und dem Kanal. MOSFETs können so hergestellt werden, dass sie ohne Gate-Source Spannung sperren (<ins class="diffchange diffchange-inline">Anreicherungs- bzw. </ins>Enhancement-Typ) oder leiten (<ins class="diffchange diffchange-inline">Verarmungs- bzw. </ins>Depletion-Typ). Die einzeln erhältlichen MOSFETs sind aber ohne Gate-Source-Spannung fast alle sperrend (Enhancement-Typ), P-Channel gibt es wohl nur als Enhancement-Typ. Ab einer Gate-Source-Spannung von z.B. +2 V (N-Channel FET) steigt die Leitfähigkeit bzw. der Drain-Source-Strom an. Für den maximalen Strom sind typisch 10 V oder bei sogenannten Logic-Level Mosfets ca. 4 V nötig. Die maximal zulässige Gate-Source-Spannung liegt je nach Typ bei etwa 20-30 V, bei Logic-Level FETs zum Teil darunter.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Bei einigen wenigen MOSFETs ist das <del class="diffchange diffchange-inline">Substart </del>als vierter Anschluss separat herausgeführt. Die Steuerspannung ist dann die Spannung zwischen Gate und Substrat. Sonst ist das Substrat intern mit Source verbunden und der MOSFETs enthält damit eine Diode zwischen Drain und Source.  Zum Teil wird die Diode im Schaltungssymbol mit eingezeichnet. Es kann also Drain und Source hier nicht vertauscht werden, wenn mehr als 0,5 V Spannung anliegen. Die integrierte Diode kann einen ähnlich hohen Strom wie der FET vertragen und kann bei Brückenschaltungen als Freilaufdiode genutzt werden. Besonders kleine MOSFETs sind empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Bei einigen wenigen MOSFETs ist das <ins class="diffchange diffchange-inline">Substrat </ins>als vierter Anschluss separat herausgeführt. Die Steuerspannung ist dann die Spannung zwischen Gate und Substrat. Sonst ist das Substrat intern mit Source verbunden und der MOSFETs enthält damit eine Diode zwischen Drain und Source.  Zum Teil wird die Diode im Schaltungssymbol mit eingezeichnet. Es kann also Drain und Source hier nicht vertauscht werden, wenn mehr als 0,5 V Spannung anliegen. Die integrierte Diode kann einen ähnlich hohen Strom wie der FET vertragen und kann bei Brückenschaltungen als Freilaufdiode genutzt werden. Besonders kleine MOSFETs sind empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Verwendung für Schaltanwendungen ==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Verwendung für Schaltanwendungen ==</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div> </div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins class="diffchange diffchange-inline">MOSFETs </ins>werden oft für Schaltanwendungen verwendet, da sie <ins class="diffchange diffchange-inline">größere </ins>Leistungen als bipolare Transistoren schalten können und geringere Verluste haben. Anders als bipolare Transistoren können MOSFETs als Schalter (d.h. bei kleiner Drain-Source Spannung, oder ausgeschaltet) problemlos parallelgeschaltet werden. Ein weiterer, wesentlicher Vorteil ist, dass sie leistungslos geschaltet werden. Wenn das Gate einmal auf eine bestimmte Spannung aufgeladen wurde, dann ist keine weitere Steuerleistung nötig. Bei bipolaren Transistoren muss die ganze Zeit ein relativ hoher Basisstrom fliessen. Allerdings hat das Gate eine relativ hohe Kapazität (ca. 1 nF für einen 10 A MOSFET). Um die Verluste beim Schalten zu minimieren, muss das Gate schnell geladen und wieder entladen werden. Dafür ist <ins class="diffchange diffchange-inline">kurzzeitig </ins>ein relativ hoher Strom nötig. Aus diesem Grund gibt es fertige Treiberbausteine, wie den ICL7667, die das Gate sehr schnell umladen können. Ein schnelles Schalten des Mosfets ist insbesondere dann wichtig, wenn der Mosfet mit einer hohen Frequenz an- und ausgeschaltet wird (z.B. [[PWM]], Schaltnetzteile).  </div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><del class="diffchange diffchange-inline">Mosfets </del>werden oft für Schaltanwendungen verwendet, da sie <del class="diffchange diffchange-inline">grössere </del>Leistungen als bipolare Transistoren schalten können und geringere Verluste haben. Anders als bipolare Transistoren können MOSFETs als Schalter (d.h. bei kleiner Drain-Source Spannung, oder ausgeschaltet) problemlos parallelgeschaltet werden. Ein weiterer, wesentlicher Vorteil ist, dass sie leistungslos geschaltet werden. Wenn das Gate einmal auf eine bestimmte Spannung aufgeladen wurde, dann ist keine weitere Steuerleistung nötig. Bei bipolaren Transistoren muss die ganze Zeit ein relativ hoher Basisstrom fliessen. Allerdings hat das Gate eine relativ hohe Kapazität (ca. 1 nF für einen 10 A MOSFET). Um die Verluste beim Schalten zu minimieren, muss das Gate schnell geladen und wieder entladen werden. Dafür ist ein relativ hoher Strom nötig. Aus diesem Grund gibt es fertige Treiberbausteine, wie den ICL7667, die das Gate sehr schnell umladen können. Ein schnelles Schalten des Mosfets ist insbesondere dann wichtig, wenn der Mosfet mit einer hohen Frequenz an- und ausgeschaltet wird (z.B. [[PWM]], Schaltnetzteile).  </div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div></div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Andererseits darf das Schalten auch nicht schneller erfolgen als der Rest der Schaltung es verträgt. Begrenzend sind hier z.B. ungewollte Induktivitäten, die Erhohlzeiten von Dioden und die Gefahr von Funkstörungen. Für eine definierte Schaltzeit wird oft ein kleiner Widerstand (ca. 100 Ohm) vor das Gate geschaltet. Wichtig ist der Widerstand besonders dann, wenn der Aufbau nicht für hohe Frequenzen ausgelegt ist, denn sonst besteht die Gefahr, dass es zwischenzeitlich zu HF-Schwingungen und damit Funkstörungen kommt.  </div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Andererseits darf das Schalten auch nicht schneller erfolgen als der Rest der Schaltung es verträgt. Begrenzend sind hier z.B. ungewollte Induktivitäten, die Erhohlzeiten von Dioden und die Gefahr von Funkstörungen. Für eine definierte Schaltzeit wird oft ein kleiner Widerstand (ca. 100 Ohm) vor das Gate geschaltet. Wichtig ist der Widerstand besonders dann, wenn der Aufbau nicht für hohe Frequenzen ausgelegt ist, denn sonst besteht die Gefahr, dass es zwischenzeitlich zu HF-Schwingungen und damit Funkstörungen kommt.  </div></td></tr>
<tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L40" >Zeile 40:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 38:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>In der Praxis werden wesentlich häufiger N-Kanal Mosfets als P-Kanal Mosfets verwendet. Das liegt daran, dass sich die Elektronen im Halbleiter leichter bewegen können als Löcher. Aus diesem Grund haben N-Kanal Mosfets bei gleicher Chipfläche einen geringeren RDS_ON und damit geringere Verluste.  </div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>In der Praxis werden wesentlich häufiger N-Kanal Mosfets als P-Kanal Mosfets verwendet. Das liegt daran, dass sich die Elektronen im Halbleiter leichter bewegen können als Löcher. Aus diesem Grund haben N-Kanal Mosfets bei gleicher Chipfläche einen geringeren RDS_ON und damit geringere Verluste.  </div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Die folgende Schaltung zeigt die Verwendung eines <del class="diffchange diffchange-inline">Mosfets </del>zum Regeln eines Motors über [[PWM]]. Der eingezeichnete BS170 ist allerdings nur für kleine Lasten geeignet.</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Die folgende Schaltung zeigt die Verwendung eines <ins class="diffchange diffchange-inline">MOSFETs </ins>zum Regeln eines Motors über [[PWM]]. Der eingezeichnete BS170 ist allerdings nur für kleine Lasten geeignet.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Bild:fetschaltstufe.jpg|center]]</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Bild:fetschaltstufe.jpg|center]]</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Bauform Beispiel ==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Bauform Beispiel ==</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><del style="font-weight: bold; text-decoration: none;"></del></div></td><td colspan="2"> </td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Bild:fetbs170.gif|center]]</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Bild:fetbs170.gif|center]]</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
</table>BMShttps://rn-wissen.de/wiki/index.php?title=Feldeffekttransistor&diff=17026&oldid=prevBesserwessi: /* MOSFET */2010-11-21T11:50:45Z<p><span dir="auto"><span class="autocomment">MOSFET</span></span></p>
<table class='diff diff-contentalign-left'>
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<tr style='vertical-align: top;'>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">← Nächstältere Version</td>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">Version vom 21. November 2010, 11:50 Uhr</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L29" >Zeile 29:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 29:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>==MOSFET==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>==MOSFET==</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>MOSFETs haben eine dünne Oxidschicht als Isolierung zwischen Gate und dem Kanal. MOSFETs können so hergestellt werden, dass sie ohne Gate-Source Spannung sperren (Enhancement-Typ) oder leiten (Depletion-Typ). Die einzeln erhältlichen MOSFETs sind aber ohne Gate-Source-Spannung fast alle sperrend (Enhancement-Typ), P-Channel gibt es wohl nur als Enhancement-Typ. Ab einer Gate-Source-Spannung von z.B. +2 V (N-Channel FET) steigt die Leitfähigkeit bzw. der Drain-Source-Strom an. Für den maximalen Strom sind typisch 10 V oder bei sogenannten Logic-Level Mosfets ca. 4 V nötig. Die maximal zulässige Gate-Source-Spannung liegt je nach Typ bei etwa 20-30 V, bei Logic-Level FETs <del class="diffchange diffchange-inline">z.T. </del>darunter . Bei <del class="diffchange diffchange-inline">fast allen </del>MOSFETs ist eine Diode zwischen Drain und Source <del class="diffchange diffchange-inline">enthalten, die häufig in Schaltungen nicht eingezeichnet ist</del>. Zum Teil wird die Diode im Schaltungssymbol mit eingezeichnet. Es kann also Drain und Source hier nicht vertauscht werden, wenn mehr als 0,5 V Spannung anliegen. Die integrierte Diode kann einen ähnlich hohen Strom wie der FET vertragen und kann bei Brückenschaltungen <del class="diffchange diffchange-inline">oft </del>als Freilaufdiode genutzt werden. Besonders kleine MOSFETs sind empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>MOSFETs haben eine dünne Oxidschicht als Isolierung zwischen Gate und dem Kanal. MOSFETs können so hergestellt werden, dass sie ohne Gate-Source Spannung sperren (Enhancement-Typ) oder leiten (Depletion-Typ). Die einzeln erhältlichen MOSFETs sind aber ohne Gate-Source-Spannung fast alle sperrend (Enhancement-Typ), P-Channel gibt es wohl nur als Enhancement-Typ. Ab einer Gate-Source-Spannung von z.B. +2 V (N-Channel FET) steigt die Leitfähigkeit bzw. der Drain-Source-Strom an. Für den maximalen Strom sind typisch 10 V oder bei sogenannten Logic-Level Mosfets ca. 4 V nötig. Die maximal zulässige Gate-Source-Spannung liegt je nach Typ bei etwa 20-30 V, bei Logic-Level FETs <ins class="diffchange diffchange-inline">zum Teil </ins>darunter.</div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Bei <ins class="diffchange diffchange-inline">einigen wenigen </ins>MOSFETs ist <ins class="diffchange diffchange-inline">das Substart als vierter Anschluss separat herausgeführt. Die Steuerspannung ist dann die Spannung zwischen Gate und Substrat. Sonst ist das Substrat intern mit Source verbunden und der MOSFETs enthält damit </ins>eine Diode zwischen Drain und Source. <ins class="diffchange diffchange-inline"> </ins>Zum Teil wird die Diode im Schaltungssymbol mit eingezeichnet. Es kann also Drain und Source hier nicht vertauscht werden, wenn mehr als 0,5 V Spannung anliegen. Die integrierte Diode kann einen ähnlich hohen Strom wie der FET vertragen und kann bei Brückenschaltungen als Freilaufdiode genutzt werden. Besonders kleine MOSFETs sind empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Verwendung für Schaltanwendungen ==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Verwendung für Schaltanwendungen ==</div></td></tr>
</table>Besserwessihttps://rn-wissen.de/wiki/index.php?title=Feldeffekttransistor&diff=16908&oldid=prevBesserwessi: /* Weblinks */2010-09-04T16:25:58Z<p><span dir="auto"><span class="autocomment">Weblinks</span></span></p>
<table class='diff diff-contentalign-left'>
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<tr style='vertical-align: top;'>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">← Nächstältere Version</td>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">Version vom 4. September 2010, 16:25 Uhr</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L49" >Zeile 49:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 49:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>= Weblinks =</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>= Weblinks =</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-Übersicht| Liste von MOSFET Typen (Mikrocontroller.net)]</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-Übersicht |Liste von MOSFET Typen (Mikrocontroller.net)]</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Kategorie:Elektronik]]</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Kategorie:Elektronik]]</div></td></tr>
</table>Besserwessihttps://rn-wissen.de/wiki/index.php?title=Feldeffekttransistor&diff=15902&oldid=prevBesserwessi: /* Bauform Beispiel */2010-01-15T13:49:49Z<p><span dir="auto"><span class="autocomment">Bauform Beispiel</span></span></p>
<table class='diff diff-contentalign-left'>
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<tr style='vertical-align: top;'>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">← Nächstältere Version</td>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">Version vom 15. Januar 2010, 13:49 Uhr</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L47" >Zeile 47:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 47:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Bild:fetbs170.gif|center]]</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Bild:fetbs170.gif|center]]</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"></ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">= Weblinks =</ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">[http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-Übersicht| Liste von MOSFET Typen (Mikrocontroller.net)]</ins></div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Kategorie:Elektronik]]</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Kategorie:Elektronik]]</div></td></tr>
</table>Besserwessihttps://rn-wissen.de/wiki/index.php?title=Feldeffekttransistor&diff=15349&oldid=prevBesserwessi: /* JFET */2009-09-25T23:39:21Z<p><span dir="auto"><span class="autocomment">JFET</span></span></p>
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<tr style='vertical-align: top;'>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">← Nächstältere Version</td>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">Version vom 25. September 2009, 23:39 Uhr</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L26" >Zeile 26:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 26:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>JFETs nutzen einen in Sperrrichtung betriebenen p-n-Übergang, um das elektrische Feld zu bilden. Theoretisch kann er auch in Flussrichtung betrieben werden, was allerdings den Vorteil der leistungslosen Ansteuerung zunichte macht. Bei vielen JFETs gibt es keinen, oder wenig, Unterschied zwischen Drain und Source. Sie können also für beide Stromrichtungen benutzt werden.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>JFETs nutzen einen in Sperrrichtung betriebenen p-n-Übergang, um das elektrische Feld zu bilden. Theoretisch kann er auch in Flussrichtung betrieben werden, was allerdings den Vorteil der leistungslosen Ansteuerung zunichte macht. Bei vielen JFETs gibt es keinen, oder wenig, Unterschied zwischen Drain und Source. Sie können also für beide Stromrichtungen benutzt werden.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Ohne Gate-Source Spannung ist ein JFET leitend. Durch Spannung in Sperrichtung wird der Strom reduziert und erreicht bei der Abschnürrspannung schließlich 0. Bei kleinen Drain-Source Spannung verhält sich der JFET wie ein Spannungsgesteuerter Widerstand. Bei Drain-Source Spannung über etwa 1-2 V verhält sich ein JFET wie eine Spannungsgesteuerte Strombegrenzung. JFets werden hauptsächlich als Schalter für Signalspannungen und als schnelle hochohmige Verstärker eingesetzt. Es gibt viele Operationsverstärker mit JFET Eingängen.</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Ohne Gate-Source Spannung ist ein JFET leitend. Durch Spannung in Sperrichtung wird der Strom reduziert und erreicht bei der Abschnürrspannung schließlich 0. Bei kleinen Drain-Source Spannung verhält sich der JFET wie ein Spannungsgesteuerter Widerstand. Bei Drain-Source Spannung über etwa 1-2 V verhält sich ein JFET wie eine Spannungsgesteuerte Strombegrenzung. JFets werden hauptsächlich als Schalter für Signalspannungen und als schnelle hochohmige Verstärker eingesetzt. Es gibt viele Operationsverstärker mit JFET Eingängen.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Gebräuchliche <del class="diffchange diffchange-inline">JFETS </del>sind: BF245, BF256, 2N4416.</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Gebräuchliche <ins class="diffchange diffchange-inline">N-Kanal JFETs </ins>sind: BF245, BF256, 2N4416<ins class="diffchange diffchange-inline">. P-Kanal JFETs sind selten, es gibt sie aber</ins>.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>==MOSFET==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>==MOSFET==</div></td></tr>
</table>Besserwessihttps://rn-wissen.de/wiki/index.php?title=Feldeffekttransistor&diff=15147&oldid=prevBesserwessi: /* MOSFET */2009-07-05T16:05:54Z<p><span dir="auto"><span class="autocomment">MOSFET</span></span></p>
<table class='diff diff-contentalign-left'>
<col class='diff-marker' />
<col class='diff-content' />
<col class='diff-marker' />
<col class='diff-content' />
<tr style='vertical-align: top;'>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">← Nächstältere Version</td>
<td colspan='2' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">Version vom 5. Juli 2009, 16:05 Uhr</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="L29" >Zeile 29:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Zeile 29:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>==MOSFET==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>==MOSFET==</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>MOSFETs haben eine dünne Oxidschicht als Isolierung zwischen Gate und dem Kanal. MOSFETs können so hergestellt werden, dass sie ohne Gate-Source Spannung sperren (Enhancement-Typ) oder leiten (Depletion-Typ). Die einzeln erhältlichen MOSFETs sind aber ohne Gate-Source-Spannung fast alle sperrend (Enhancement-Typ), P-Channel gibt es wohl nur als Enhancement-Typ. Ab einer Gate-Source-Spannung von z.B. +2 V (N-Channel FET) steigt die Leitfähigkeit bzw. der Drain-Source-Strom an. Für den maximalen Strom sind typisch 10 V oder bei sogenannten Logic-Level Mosfets ca. 4 V nötig. Die maximal zulässige Gate-Source-Spannung liegt je nach Typ bei etwa 20-30 V, bei Logic-Level FETs z.T. darunter . Bei fast allen MOSFETs ist eine Diode zwischen Drain und Source enthalten, die häufig in Schaltungen nicht <del class="diffchange diffchange-inline">eigezeichnet </del>ist. Es kann also Drain und Source hier nicht vertauscht werden, wenn mehr als 0,5 V Spannung anliegen. Die integrierte Diode kann bei Brückenschaltungen oft als Freilaufdiode genutzt werden. Besonders kleine MOSFETs sind empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color:black; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>MOSFETs haben eine dünne Oxidschicht als Isolierung zwischen Gate und dem Kanal. MOSFETs können so hergestellt werden, dass sie ohne Gate-Source Spannung sperren (Enhancement-Typ) oder leiten (Depletion-Typ). Die einzeln erhältlichen MOSFETs sind aber ohne Gate-Source-Spannung fast alle sperrend (Enhancement-Typ), P-Channel gibt es wohl nur als Enhancement-Typ. Ab einer Gate-Source-Spannung von z.B. +2 V (N-Channel FET) steigt die Leitfähigkeit bzw. der Drain-Source-Strom an. Für den maximalen Strom sind typisch 10 V oder bei sogenannten Logic-Level Mosfets ca. 4 V nötig. Die maximal zulässige Gate-Source-Spannung liegt je nach Typ bei etwa 20-30 V, bei Logic-Level FETs z.T. darunter . Bei fast allen MOSFETs ist eine Diode zwischen Drain und Source enthalten, die häufig in Schaltungen nicht <ins class="diffchange diffchange-inline">eingezeichnet </ins>ist<ins class="diffchange diffchange-inline">. Zum Teil wird die Diode im Schaltungssymbol mit eingezeichnet</ins>. Es kann also Drain und Source hier nicht vertauscht werden, wenn mehr als 0,5 V Spannung anliegen. Die integrierte Diode <ins class="diffchange diffchange-inline">kann einen ähnlich hohen Strom wie der FET vertragen und </ins>kann bei Brückenschaltungen oft als Freilaufdiode genutzt werden. Besonders kleine MOSFETs sind empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Verwendung für Schaltanwendungen ==</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f9f9f9; color: #333333; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #e6e6e6; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Verwendung für Schaltanwendungen ==</div></td></tr>
</table>Besserwessi