(→Definition) |
(→Eigenschaften) |
||
Zeile 8: | Zeile 8: | ||
* sehr empfindlich gegen statische Aufladung, kann aber IC intern geschützt werden | * sehr empfindlich gegen statische Aufladung, kann aber IC intern geschützt werden | ||
* bei Digitalschaltungen ist die Stromaufnahme annäherned proportional zur Taktfrequenz | * bei Digitalschaltungen ist die Stromaufnahme annäherned proportional zur Taktfrequenz | ||
+ | * fast immer sehr hoher Eingangswiderstand (>100 MOhm) | ||
+ | * Ausgangsspannung bis an die Versorgungsspannung und GND möglich | ||
== Anwendung == | == Anwendung == |
Version vom 1. Februar 2008, 13:34 Uhr
Inhaltsverzeichnis
Definition
Complementary Metal Oxide Semiconductor (komplementärer Metalloxid-Halbleiter)
CMOS ist die wichtigste Technology für integrierte Schaltkreise. Als interne Schaltungselemente werden N-MOS und P-MOS Tansistoren verwand. Kann sowohl für digitale als auch analoge Schaltungen (z.B. Operationsverstärker) verwandt werden.
Eigenschaften
- Betriebsspannung: 0 - 15V (typ. +3,3V und +5V)
- sehr empfindlich gegen statische Aufladung, kann aber IC intern geschützt werden
- bei Digitalschaltungen ist die Stromaufnahme annäherned proportional zur Taktfrequenz
- fast immer sehr hoher Eingangswiderstand (>100 MOhm)
- Ausgangsspannung bis an die Versorgungsspannung und GND möglich
Anwendung
- Gatter und Schaltungen integrierter Schaltkreise (z.B. 4000er Serie CMOS-ICs)