K (→Wirkungsgrade von Solarzellen) |
(→Die Solarzelle) |
||
| Zeile 1: | Zeile 1: | ||
===Die Solarzelle=== | ===Die Solarzelle=== | ||
| − | Die Solarzelle ist vom Aufbau her eine Diode. | + | Die Solarzelle ist vom Aufbau her eine Diode. Eine normale Solarzelle aus kristallinem Silizium hat eine dünne n-Siliciumschicht und darunter eine dickere p-Siliciumschicht. Licht genügender Energie (unter etwa 1000 nm Wellenlänge) kann im Silizium Elektronen/Loch Paare erzeugen. Dieser Vorgang heißt innerer lichtelektrischer Effekt. Die frei gewordenen Elektronen werden durch die positive obere Schicht der Sperrschicht zum n-Si gezogen. Im n-Si kommt es zum Elektronenüberschuss (wie der - Pol einer Batterie). |
| − | Dieser Vorgang heißt innerer lichtelektrischer Effekt. | + | Der Fotostrom ist proportional zur Lichtintensität. Durch den Aufbau als Diode ist die Spannung der Solarzelle auf etwa 0,6 V begenzt. Mit zunehmender Spannung fließt eine Teil des möglichen Stromes intern durch die Diode. Um besser nutzbare, höhere Spannungen zu erhalten werden mehrere Zellen zu einem Modul hintereinander geschaltet. |
| − | Die frei gewordenen Elektronen werden durch die positive obere Schicht der Sperrschicht zum n-Si gezogen. | + | |
| − | Im n-Si kommt es zum Elektronenüberschuss (wie der - Pol einer Batterie) | + | Die Nennleistung in den Datenblättern beziehen sich auf pralle Sonne. Bei typischer Beleuchtung in Innenräumen muss mit deutlich weniger, oft nicht mal ein Zehntel, Leistung gerechnet werden. |
| − | + | ||
| − | + | ||
| − | Bei | + | |
==Funktionsweise== | ==Funktionsweise== | ||
Version vom 22. Februar 2008, 17:05 Uhr
Die Solarzelle
Die Solarzelle ist vom Aufbau her eine Diode. Eine normale Solarzelle aus kristallinem Silizium hat eine dünne n-Siliciumschicht und darunter eine dickere p-Siliciumschicht. Licht genügender Energie (unter etwa 1000 nm Wellenlänge) kann im Silizium Elektronen/Loch Paare erzeugen. Dieser Vorgang heißt innerer lichtelektrischer Effekt. Die frei gewordenen Elektronen werden durch die positive obere Schicht der Sperrschicht zum n-Si gezogen. Im n-Si kommt es zum Elektronenüberschuss (wie der - Pol einer Batterie). Der Fotostrom ist proportional zur Lichtintensität. Durch den Aufbau als Diode ist die Spannung der Solarzelle auf etwa 0,6 V begenzt. Mit zunehmender Spannung fließt eine Teil des möglichen Stromes intern durch die Diode. Um besser nutzbare, höhere Spannungen zu erhalten werden mehrere Zellen zu einem Modul hintereinander geschaltet.
Die Nennleistung in den Datenblättern beziehen sich auf pralle Sonne. Bei typischer Beleuchtung in Innenräumen muss mit deutlich weniger, oft nicht mal ein Zehntel, Leistung gerechnet werden.
Funktionsweise
Wirkungsgrade von Solarzellen
| Material | typischer Wirkungsgrad |
| amorphes Silicium | 5-10 % |
| polykristallines Silicium | 10-15 % |
| monokristallines Silicium | 12-18% |
| Galliumarsenid (Einschicht) | 15-20% |
| Galliumarsenid (Mehrschicht) | 20-25% |
</tr> </td>
--Elektronikus 16:47, 25. Nov 2005 (CET)
| Dieser Artikel ist noch lange nicht vollständig. Der Auto/Initiator hofft das sich weitere User am Ausbau des Artikels beteiligen.
Das Ergänzen ist also ausdrücklich gewünscht! Besonders folgende Dinge würden noch fehlen: Mehr Grundlagen und vor allem Programmbeispiele etc. |
