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* Die Kapazität von Kondensatoren int RC-Gliedern und Schwingkreisen deutlich über der Streukapazität von 10pF halten. Genaue Werte sind von 1nF bis 100nF sehr gut realisierbar, bis 10µF machbar. | * Die Kapazität von Kondensatoren int RC-Gliedern und Schwingkreisen deutlich über der Streukapazität von 10pF halten. Genaue Werte sind von 1nF bis 100nF sehr gut realisierbar, bis 10µF machbar. | ||
* Vorwiderstände für LEDs können wie folgt berechnet werden: <math>\mathrm{R_{LED}}=\frac{\mathrm{U_{in}} - \mathrm{U_{LED}}}{\mathrm{I_{LED}}}</math> | * Vorwiderstände für LEDs können wie folgt berechnet werden: <math>\mathrm{R_{LED}}=\frac{\mathrm{U_{in}} - \mathrm{U_{LED}}}{\mathrm{I_{LED}}}</math> | ||
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== Aktive Bauteile == | == Aktive Bauteile == | ||
* Die Hälfte der angegebenen maximalen Verlustleistung bei Leistungstransistoren kann man nutzen | * Die Hälfte der angegebenen maximalen Verlustleistung bei Leistungstransistoren kann man nutzen | ||
* Die Parameter von Leistungstransistoren verschlechtern sich bei einem Strom der den halben Maximalstrom übersteigt | * Die Parameter von Leistungstransistoren verschlechtern sich bei einem Strom der den halben Maximalstrom übersteigt | ||
* Wird ein Transistor als Schalter benutzt, so ist er bei einem Basisstrom von 1mA und <math>\mathrm{U_{BE}}= 0.7\mathrm{V}</math> voll durchgesteuert. | * Wird ein Transistor als Schalter benutzt, so ist er bei einem Basisstrom von 1mA und <math>\mathrm{U_{BE}}= 0.7\mathrm{V}</math> voll durchgesteuert. | ||
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== ICs == | == ICs == | ||
* Ein gut gemeinter Verstärker wird schnell zum Oszillator | * Ein gut gemeinter Verstärker wird schnell zum Oszillator | ||
* Jedem IC am besten einen 100nF Pufferkondensator verpassen, der räumlich möglichst nah an den Versorgungspins liegt. | * Jedem IC am besten einen 100nF Pufferkondensator verpassen, der räumlich möglichst nah an den Versorgungspins liegt. | ||
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== Grundschaltungen == | == Grundschaltungen == | ||
* Die Zeitkonstante <math>\tau</math> von einem RC-Glied kann durch <math>\tau=R\cdot C</math> (<math>[s]=[\Omega]\cdot[F]</math>) errechnet werden. | * Die Zeitkonstante <math>\tau</math> von einem RC-Glied kann durch <math>\tau=R\cdot C</math> (<math>[s]=[\Omega]\cdot[F]</math>) errechnet werden. | ||
** Ein RC-Glied wird nach <math>5\tau</math> als vollständig geladen angesehen (ca. 99%) | ** Ein RC-Glied wird nach <math>5\tau</math> als vollständig geladen angesehen (ca. 99%) | ||
* Ein Netztrafo mit 10VA hat ca. 1W an Leerlaufverlustleistung | * Ein Netztrafo mit 10VA hat ca. 1W an Leerlaufverlustleistung | ||
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== Bohrungen == | == Bohrungen == | ||
* Wenn der Bohrungsdurchmesser <math>\mathrm{D}</math> grösser als 10mm ist, mit <math>\frac{1}{3}\mathrm{D}</math> vorbohren. | * Wenn der Bohrungsdurchmesser <math>\mathrm{D}</math> grösser als 10mm ist, mit <math>\frac{1}{3}\mathrm{D}</math> vorbohren. | ||
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* Gewindebohrungen mit <math>1.05 \cdot \mathrm{Nenndurchmesser}</math> senken | * Gewindebohrungen mit <math>1.05 \cdot \mathrm{Nenndurchmesser}</math> senken | ||
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* Um bei Verschraubungen die volle Festigkeit zu erreichen, gelten folgende Einschraubtiefen: | * Um bei Verschraubungen die volle Festigkeit zu erreichen, gelten folgende Einschraubtiefen: | ||
**Stahl: Gewindeaußendurchmesser x 1 (z.B: bei M3 --> 3mm Gewindetiefe) | **Stahl: Gewindeaußendurchmesser x 1 (z.B: bei M3 --> 3mm Gewindetiefe) | ||
**Alu: Gewindeaußendurchmesser x 2.5 (z.B: bei M3 --> 7,5mm Gewindetiefe) | **Alu: Gewindeaußendurchmesser x 2.5 (z.B: bei M3 --> 7,5mm Gewindetiefe) | ||
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Version vom 8. März 2008, 11:27 Uhr
Inhaltsverzeichnis
Elektronik
Passive Bauteile
- Die Kapazität von Pufferkondensatoren sollte in µF ([math]10^{-6}F[/math]) in etwa dem Peak-Strom in mA ([math]10^{-3}A[/math]) entsprechen
- Die Ripple-Spannung, die ein Widerstand erzeugt, lässt sich mit [math]\mathrm{V_{ripple}}=10^{-3}\cdot \frac{\mathrm{nV}}{\mathrm{\Omega}\sqrt{\mathrm{Hz}}}\cdot \mathrm{R} \cdot \sqrt{\mathrm{f}}[/math] berechnen
- 1 cm Kabel hat in etwa 1pF Kapazität (unabhängig vom Kabeltyp)
- Die Kapazität von Kondensatoren int RC-Gliedern und Schwingkreisen deutlich über der Streukapazität von 10pF halten. Genaue Werte sind von 1nF bis 100nF sehr gut realisierbar, bis 10µF machbar.
- Vorwiderstände für LEDs können wie folgt berechnet werden: [math]\mathrm{R_{LED}}=\frac{\mathrm{U_{in}} - \mathrm{U_{LED}}}{\mathrm{I_{LED}}}[/math]
Aktive Bauteile
- Die Hälfte der angegebenen maximalen Verlustleistung bei Leistungstransistoren kann man nutzen
- Die Parameter von Leistungstransistoren verschlechtern sich bei einem Strom der den halben Maximalstrom übersteigt
- Wird ein Transistor als Schalter benutzt, so ist er bei einem Basisstrom von 1mA und [math]\mathrm{U_{BE}}= 0.7\mathrm{V}[/math] voll durchgesteuert.
ICs
- Ein gut gemeinter Verstärker wird schnell zum Oszillator
- Jedem IC am besten einen 100nF Pufferkondensator verpassen, der räumlich möglichst nah an den Versorgungspins liegt.
Grundschaltungen
- Die Zeitkonstante [math]\tau[/math] von einem RC-Glied kann durch [math]\tau=R\cdot C[/math] ([math][s]=[\Omega]\cdot[F][/math]) errechnet werden.
- Ein RC-Glied wird nach [math]5\tau[/math] als vollständig geladen angesehen (ca. 99%)
- Ein Netztrafo mit 10VA hat ca. 1W an Leerlaufverlustleistung
Mechanik
Bohrungen
- Wenn der Bohrungsdurchmesser [math]\mathrm{D}[/math] grösser als 10mm ist, mit [math]\frac{1}{3}\mathrm{D}[/math] vorbohren.
- Die Drehzahl für Automatenstahl errechnet sich aus [math]\omega = \frac{8000}{\mathrm{d_{Bohrer}}}[/math] in mm.
- Zum Vorbohren bei Gewinden: [math]\mathrm{D}=\mathrm{Nenndurchmesser} - \mathrm{Steigung}[/math]
- Gewindebohrungen mit [math]1.05 \cdot \mathrm{Nenndurchmesser}[/math] senken
Gewinde
- Um bei Verschraubungen die volle Festigkeit zu erreichen, gelten folgende Einschraubtiefen:
- Stahl: Gewindeaußendurchmesser x 1 (z.B: bei M3 --> 3mm Gewindetiefe)
- Alu: Gewindeaußendurchmesser x 2.5 (z.B: bei M3 --> 7,5mm Gewindetiefe)
Sonstiges
- Der Durchschnittsdaumen ist ca. 1 Zoll breit und sein Fingernagel 1mm stark
- Vieles verdoppelt sich bei 10°C Temperaturerhöhung: Leckstrom von Dioden oder Transitoren, CMOS OPs, CMOS Schaltern; Selbstentladung von Akkus; Dampfdruck von Wasser oder die Geschwindigkeit von Chemischen Reaktionen
- Anderes halbiert sich hingegen bei 10°C Temperaturerhöhung: Lebensdauer von Halbleitern oder Elkos, Zeit zum Entwickeln bzw. Atzen, Haltbarkeit von Paltinenmaterial, Batterien oder von einigen Lebensmitteln.
