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Fotodioden sind eine Art von Sensoren, bei denen Licht in elektrische Energie umgewandelt wird. Es handelt sich um Germanium- oder Siliziumdioden, die in Sperrrichtung betrieben werden und bei denen sich zwischen den beiden dotierten Halbleiterschichten (p und n) ein undotierter Bereich befindet. Dieser pn-Übergang der Fotodiode ist dem Licht baulich sehr gut zugänglich gemacht. Aus diesem undotierten Bereich werden bei einfallendem Licht durch den lichtelektrischen Effekt freie Elektronen aus der atomaren Struktur gelöst, deren Anzahl von der Lichtintensität abhängt.  
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Fotodioden sind eine Art von Dioden, bei denen der PN Übergang optisch zugänglich ist.
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Oft ist zwischen den beiden dotierten Halbleiterschichten (p und n) ein undotierter Bereich befindet (PIN Dioden). Im Bereich des Überganges werden bei einfallendem Licht durch den inneren lichtelektrischen Effekt freie Elektronen aus der atomaren Struktur gelöst, die einen Fotostrom erzeugen.  
  
Im Gegensatz zum Fotowiderstand haben Fotodioden eine wesentlich geringere Trägheit und können Signale im Nano- und Mikrosekunden-Bereich schalten. Die Schaltgeschwindigkeit hängt dabei von der Sperrspannung ab, je höher diese ist, desto kürzer werden die Schaltzeiten (bei Erhöhung der Sperrspannung wirddie Kapazität der Sperrschicht geringer).  
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Bei kleinen Spannungen oder mit Spannung in Sperrichtung ist der Strom über einen sehr großen Bereich proprotional zur Intensität und relativ unabhängig von der Spannung.
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Bei Betrieb mit nur einem Lastwiderstand, erzeugt die Fotodiode wie eine Solarzelle elektrische Energie. Die Leerlaufspannung ist dabei annähernd proportional zum Logaritmus der Intensität.
  
Die spektrale Empfindlichkeit von Fotodioden hängt vom verwendeten Halbleitermaterial ab. Bei Silizium liegt die höchste spektrale Empfindlichkeit bei 800 nm, bei Germanium bei 1.400 nm, also im Infrarot-Bereich.
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Im Gegensatz zum Fotowiderstand haben Fotodioden eine geringe Trägheit und können auf Signale im Nano- und Mikrosekunden-Bereich reagieren. Die Schaltgeschwindigkeit hängt dabei von der Sperrspannung ab, je höher diese ist, desto kürzer werden die Schaltzeiten (bei Erhöhung der Sperrspannung wird die Kapazität der Sperrschicht geringer).  
  
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Die langwellige Grenze spektrale Empfindlichkeit von Fotodioden hängt vom verwendeten Halbleitermaterial ab. Bei Silizium liegt die Grenze bei ca. 1050 nm, die höchste spektrale Empfindlichkeit je nach Qualität bei ca. 900 nm. Bei Germanium liegt die Grenze ca. bei 1.900 nm, also im Infrarot-Bereich. Die kurzwellige Grenze hängt vom Fenstermaterial und der Oberfläche des Halbleiters ab.
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Die typische Empfindlichkeit liegt bei ca. 0,5 A/W bei 800 nm. In der Regel hat man also kleine Ströme im µA Bereich und darunter.
  
 
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Version vom 17. Oktober 2008, 19:47 Uhr

Fotodiode-Schaltbild.jpg

Fotodiode-Struktur.jpg

Fotodioden sind eine Art von Dioden, bei denen der PN Übergang optisch zugänglich ist. Oft ist zwischen den beiden dotierten Halbleiterschichten (p und n) ein undotierter Bereich befindet (PIN Dioden). Im Bereich des Überganges werden bei einfallendem Licht durch den inneren lichtelektrischen Effekt freie Elektronen aus der atomaren Struktur gelöst, die einen Fotostrom erzeugen.

Bei kleinen Spannungen oder mit Spannung in Sperrichtung ist der Strom über einen sehr großen Bereich proprotional zur Intensität und relativ unabhängig von der Spannung. Bei Betrieb mit nur einem Lastwiderstand, erzeugt die Fotodiode wie eine Solarzelle elektrische Energie. Die Leerlaufspannung ist dabei annähernd proportional zum Logaritmus der Intensität.

Im Gegensatz zum Fotowiderstand haben Fotodioden eine geringe Trägheit und können auf Signale im Nano- und Mikrosekunden-Bereich reagieren. Die Schaltgeschwindigkeit hängt dabei von der Sperrspannung ab, je höher diese ist, desto kürzer werden die Schaltzeiten (bei Erhöhung der Sperrspannung wird die Kapazität der Sperrschicht geringer).

Die langwellige Grenze spektrale Empfindlichkeit von Fotodioden hängt vom verwendeten Halbleitermaterial ab. Bei Silizium liegt die Grenze bei ca. 1050 nm, die höchste spektrale Empfindlichkeit je nach Qualität bei ca. 900 nm. Bei Germanium liegt die Grenze ca. bei 1.900 nm, also im Infrarot-Bereich. Die kurzwellige Grenze hängt vom Fenstermaterial und der Oberfläche des Halbleiters ab. Die typische Empfindlichkeit liegt bei ca. 0,5 A/W bei 800 nm. In der Regel hat man also kleine Ströme im µA Bereich und darunter.

Dieser Artikel ist noch lange nicht vollständig. Der Auto/Initiator hofft das sich weitere User am Ausbau des Artikels beteiligen.

Das Ergänzen ist also ausdrücklich gewünscht! Besonders folgende Dinge würden noch fehlen:

Ein erster Anfang: Ausbau - Gliederung in Kapitel - Bilder einfügen!


--Williwilli 17:26, 17. Okt 2008 (CEST)


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