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| − | Wie die [[Fotodiode]] arbeitet auch der Fototransistor mit einer Halbleiterstrecke, die bei Einfall von Licht ihre Eigenschaften ändert. Es handelt sich dabei um die Basis-Kollektor-Strecke, die als Fotodiode fungiert und den Basisstrom für den Fototransistor erzeugt. Der Fototransistor wird somit nur über das einfallende Licht gesteuert. Wenn also Licht auf einen Fototransistor fällt, dann erhöht sich der Strom, der zwischen Kollektor und Emitter fließt | + | [[Bild:Fototransistor-Struktur.jpg|thumb|Innerer Aufbau eines Fototransistors]] |
| + | Wie die [[Fotodiode]] arbeitet auch der Fototransistor mit einer Halbleiterstrecke, die bei Einfall von Licht ihre Eigenschaften ändert. Es handelt sich dabei um die Basis-Kollektor-Strecke, die als Fotodiode fungiert und den Basisstrom für den Fototransistor erzeugt. Der Fototransistor wird somit nur über das einfallende Licht gesteuert. Wenn also Licht auf einen Fototransistor fällt, dann erhöht sich der Strom, der zwischen Kollektor und Emitter fließt. | ||
Die spektrale Empfindlichkeit von Fototransistoren ist mit der von Fotodioden vergleichbar, d.h. Fototransistoren aus Silizium haben ihr Maximum bei etwa 800 nm, solche aus Germanium bei etwa 1.500 nm. Beide Wellenlängen liegen somit im Infrarotbereich. | Die spektrale Empfindlichkeit von Fototransistoren ist mit der von Fotodioden vergleichbar, d.h. Fototransistoren aus Silizium haben ihr Maximum bei etwa 800 nm, solche aus Germanium bei etwa 1.500 nm. Beide Wellenlängen liegen somit im Infrarotbereich. | ||
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Fototransistoren haben ein lichtdurchlässiges Gehäuse, bei dem das Licht auf die Basis-Kollektor-Sperrschicht fallen kann. Die Empfindlichkeit ist jedoch auch vom verwendeten Material das Transistorgehäuse abhängig, ein transparentes Gehäuse hat eine breitere Empfindlichkeitskurve als ein schwarzes Epoxy-Gehäuse. | Fototransistoren haben ein lichtdurchlässiges Gehäuse, bei dem das Licht auf die Basis-Kollektor-Sperrschicht fallen kann. Die Empfindlichkeit ist jedoch auch vom verwendeten Material das Transistorgehäuse abhängig, ein transparentes Gehäuse hat eine breitere Empfindlichkeitskurve als ein schwarzes Epoxy-Gehäuse. | ||
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| + | Der Vorteil des Fototransistors gegenüber der Fotodiode ist die wesentlich höhere Empfindlichkeit, weil die Basis-Kollektorstrecke durch den Lichteinfall beeinflusst wird. Der Fototransistor arbeitet wie ein normaler bipolarer Transistor, durch die Transistorstufe kommt jedoch die Empfindlichkeitsverstärkung zum Tragen, die etwa der Gleichstromverstärkung B entspricht. | ||
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| + | Allerdings ist die Trägheit von Fototransistoren höher als die von Fotodioden: Die Grenzfrequenz eines Fototransistors liegt mit etwa 250 kHz wesentlich niedriger, bei Foto-Darlington-Transistoren liegt diese sogar nur bei ca. 30 kHz. | ||
Bei manchen Fototransistoren ist der Basisanschluss trotzdem herausgeführt. Dadurch ist eine Arbeitspunktstabilisierung möglich. | Bei manchen Fototransistoren ist der Basisanschluss trotzdem herausgeführt. Dadurch ist eine Arbeitspunktstabilisierung möglich. | ||
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Version vom 18. Oktober 2008, 07:44 Uhr
Fototransistoren sind eine Art von Transistoren, die auf einfallendes Licht reagieren. Der Basis-Anschluß ist bei Fototransistoren optisch zugänglich.
Inhaltsverzeichnis
Aufbau und Funktion
Wie die Fotodiode arbeitet auch der Fototransistor mit einer Halbleiterstrecke, die bei Einfall von Licht ihre Eigenschaften ändert. Es handelt sich dabei um die Basis-Kollektor-Strecke, die als Fotodiode fungiert und den Basisstrom für den Fototransistor erzeugt. Der Fototransistor wird somit nur über das einfallende Licht gesteuert. Wenn also Licht auf einen Fototransistor fällt, dann erhöht sich der Strom, der zwischen Kollektor und Emitter fließt.
Die spektrale Empfindlichkeit von Fototransistoren ist mit der von Fotodioden vergleichbar, d.h. Fototransistoren aus Silizium haben ihr Maximum bei etwa 800 nm, solche aus Germanium bei etwa 1.500 nm. Beide Wellenlängen liegen somit im Infrarotbereich.
Fototransistoren haben ein lichtdurchlässiges Gehäuse, bei dem das Licht auf die Basis-Kollektor-Sperrschicht fallen kann. Die Empfindlichkeit ist jedoch auch vom verwendeten Material das Transistorgehäuse abhängig, ein transparentes Gehäuse hat eine breitere Empfindlichkeitskurve als ein schwarzes Epoxy-Gehäuse.
Anwendungsbeispiele
Der Vorteil des Fototransistors gegenüber der Fotodiode ist die wesentlich höhere Empfindlichkeit, weil die Basis-Kollektorstrecke durch den Lichteinfall beeinflusst wird. Der Fototransistor arbeitet wie ein normaler bipolarer Transistor, durch die Transistorstufe kommt jedoch die Empfindlichkeitsverstärkung zum Tragen, die etwa der Gleichstromverstärkung B entspricht.
Allerdings ist die Trägheit von Fototransistoren höher als die von Fotodioden: Die Grenzfrequenz eines Fototransistors liegt mit etwa 250 kHz wesentlich niedriger, bei Foto-Darlington-Transistoren liegt diese sogar nur bei ca. 30 kHz.
Bei manchen Fototransistoren ist der Basisanschluss trotzdem herausgeführt. Dadurch ist eine Arbeitspunktstabilisierung möglich.
t.b.c.
Anmerkungen
| Dieser Artikel ist noch lange nicht vollständig. Der Auto/Initiator hofft das sich weitere User am Ausbau des Artikels beteiligen.
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Autor
--Williwilli 20:26, 17. Okt 2008 (CEST)