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LiFePO4 Speicher Test

(Verpolungsschutz mit MOSFETs)
(Verpolungsschutz mit MOSFETs)
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== Verpolungsschutz mit MOSFETs ==
 
== Verpolungsschutz mit MOSFETs ==
  
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Für den Verpolungsschutz mit einem MOSFET wird der FET andersherum als sonst üblich benutzt, also beim N-Kanal FET mit Drain zur negativen Seite der Spannungsquelle. Für Spannungen die sicher unter 20 V sind kann man auf die gezeigte Zenerdiode und den Widerstand verzichten.
 
Für den Verpolungsschutz mit einem MOSFET wird der FET andersherum als sonst üblich benutzt, also beim N-Kanal FET mit Drain zur negativen Seite der Spannungsquelle. Für Spannungen die sicher unter 20 V sind kann man auf die gezeigte Zenerdiode und den Widerstand verzichten.
  

Version vom 12. Dezember 2008, 17:02 Uhr

Dieser Artikel ist noch lange nicht vollständig. Der Auto/Initiator hofft das sich weitere User am Ausbau des Artikels beteiligen.

Das Ergänzen ist also ausdrücklich gewünscht! Besonders folgende Dinge würden noch fehlen:

Was Euch noch dazu einfällt


Ein Verpolungsschutz wird in der Spannungsversorgung eines Verbrauchers (Gerätes) eingesetzt. Die Schutzschaltung verhindert entweder die falsche Polarität oder begrenzt den durch diese Verpolung entstehenden Schaden.


Verpolungsschutz mit Dioden

  • Variante 1: Eine Diode wird in Reihe mit der Versorgungsspannung geschaltet.
    • Funktion: Bei Verpolung sperrt die Diode, der Verbraucher erhält keinen Strom.
    • Vorteil: Nur eine Diode nötig.
    • Nachteil: Verlustleistung, Spannungsabfall, Durchlaßstrom der Diode müssen beachtet werden.
  • Variante 2: Eine Diode wird antiparallel zur Versorgungsspannung geschaltet. Zusätzlich eine Sicherung in der Zuleitung.
    • Funktion: Bei Verpolung schließt die Diode die Versorgungsspannung kurz. Die Sicherung spricht an und verhinder den echten Kurzschluss sowie das Durchbrennen der Diode.
    • Vorteil: Bei korrekter Polung hat die Schutzschaltung keinen Einfluß auf den Rest der Schaltung.
    • Nachteil: Bei Verwendung von normalen Sicherungen ist nach einer Verpolung ein Wechsel notwendig.


Verpolungsschutz mit MOSFETs

Verpolungsschutz mit N-MOSFET

Für den Verpolungsschutz mit einem MOSFET wird der FET andersherum als sonst üblich benutzt, also beim N-Kanal FET mit Drain zur negativen Seite der Spannungsquelle. Für Spannungen die sicher unter 20 V sind kann man auf die gezeigte Zenerdiode und den Widerstand verzichten.

  • Variante 1: n-Kanal-MOSFET in Reihe mit der negativen Spannungsversorgung (GND)
    • Vorteil: sehr geringer Spannungsabfall, Überspannung kann zur Quelle abgleitet werden
    • Nachteile: Mindestspannung ca. 5 V, mit Logic-Level Fets ca. 3 V, kein Schutz solange Spannung an der Schaltung (z.B. bei kurzen Pulsen oder Wechselspannung), teurer als Diode
  • Variante 2: p-Kanal-MOSFET in Reihe mit der positiven Spannungsversorgung
    • Vorteil: wie Variante 1
    • Nachteile: wie Variante 1, Logic Fets Level selten, oft teurer N-MOSFET

Verpolungsschutz mit anderen Bauteilen

  • Variante 1: Vorgeschalteter Brückengleichrichter.
    • Funktion: siehe Gleichrichter
    • Vorteil: Es liegt immer die richtige Polarität am Verbraucher an.
    • Nachteil: Spannungsabfall und Verlustleistung am Brückengleichrichter
  • Variante 2: Relais schaltet mit Hilfe einer Diode die Versorgungsspannung zum Verbraucher.
    • Vorteil: Kaum Spannungsabfall an den Schaltkontakten.
    • Nachteile: Aufwendig. Zusätzliche Verlustleistung in der Relaisspule.


Links

Autor

--Williwilli 14:54, 11. Dez 2008 (CET)


LiFePO4 Speicher Test