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− | * sehr empfindlich gegen statische Aufladung, kann aber IC intern geschützt werden | + | * sehr empfindlich gegen statische Aufladung, kann aber IC-intern geschützt werden |
− | * bei Digitalschaltungen ist die Stromaufnahme | + | * bei Digitalschaltungen ist die Stromaufnahme annähernd proportional zur Taktfrequenz |
* fast immer sehr hoher Eingangswiderstand (>100 MOhm) | * fast immer sehr hoher Eingangswiderstand (>100 MOhm) | ||
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− | * [http://tech-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/cmos/cmos_dt.html JAVA-Applet zur Demonstration von CMOS-Gattern] | + | * [http://tech-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/cmos/cmos_dt.html JAVA-Applet zur Demonstration von CMOS-Gattern] (nicht mehr erreichbar, Stand 25.10.11) |
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Aktuelle Version vom 25. Oktober 2011, 19:59 Uhr
Inhaltsverzeichnis
Definition
Complementary Metal Oxide Semiconductor (komplementärer Metalloxid-Halbleiter)
CMOS ist die wichtigste Technologie für integrierte Schaltkreise und kann sowohl für digitale als auch analoge Schaltungen (z.B. Operationsverstärker) verwendet werden. Als interne Schaltungselemente werden N-MOS- und P-MOS-Tansistoren verwendet.
Eigenschaften
- Betriebsspannung: 0-15 V (typ. +3,3 V und +5 V)
- sehr empfindlich gegen statische Aufladung, kann aber IC-intern geschützt werden
- bei Digitalschaltungen ist die Stromaufnahme annähernd proportional zur Taktfrequenz
- fast immer sehr hoher Eingangswiderstand (>100 MOhm)
- Ausgangsspannung bis an die Versorgungsspannung und GND möglich
Anwendung
- Gatter und Schaltungen integrierter Schaltkreise (z.B. 4000er Serie CMOS-ICs)
Links
- JAVA-Applet zur Demonstration von CMOS-Gattern (nicht mehr erreichbar, Stand 25.10.11)