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== Passive Bauteile ==
 
== Passive Bauteile ==
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* Die Hälfte der angegebenen maximalen Verlustleistung bei Leistungstransistoren kann man nutzen
 
* Die Hälfte der angegebenen maximalen Verlustleistung bei Leistungstransistoren kann man nutzen
 
* Die Parameter von Leistungstransistoren verschlechtern sich bei einem Strom der den halben Maximalstrom übersteigt
 
* Die Parameter von Leistungstransistoren verschlechtern sich bei einem Strom der den halben Maximalstrom übersteigt
* Wird ein Transistor als Schalter benutzt, so ist er bei einem Basisstrom von 1mA und <math>\mathrm{U_{BE}}= 0.7\mathrm{V}</math> voll durchgesteuert.  
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* Wird ein Transistor als Schalter benutzt, so ist er bei einem Basisstrom von 1mA und <math>\mathrm{U_{BE}}= 0.7\mathrm{V}</math> voll durchgesteuert.
 
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== ICs ==
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* Ein gut gemeinter Verstärker wird schnell zum Oszillator
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* Jedem IC am besten einen 100nF Pufferkondensator verpassen, der räumlich möglichst nah an den Versorgungspins liegt.
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== Grundschaltungen ==
 
== Grundschaltungen ==
 
* Die Zeitkonstante <math>\tau</math> von einem RC-Glied kann durch <math>\tau=R\cdot C</math> (<math>[s]=[\Omega]\cdot[F]</math>) errechnet werden.
 
* Die Zeitkonstante <math>\tau</math> von einem RC-Glied kann durch <math>\tau=R\cdot C</math> (<math>[s]=[\Omega]\cdot[F]</math>) errechnet werden.

Version vom 8. März 2008, 11:42 Uhr


Elektronik

Passive Bauteile

  • Die Kapazität von Pufferkondensatoren sollte in µF ([math]10^{-6}F[/math]) in etwa dem Peak-Strom in mA ([math]10^{-3}A[/math]) entsprechen
  • Die Ripple-Spannung, die ein Widerstand erzeugt, lässt sich mit [math]\mathrm{V_{ripple}}=10^{-3}\cdot \frac{\mathrm{nV}}{\mathrm{\Omega}\sqrt{\mathrm{Hz}}}\cdot \mathrm{R} \cdot \sqrt{\mathrm{f}}[/math] berechnen
  • 1 cm Kabel hat in etwa 1pF Kapazität (unabhängig vom Kabeltyp)
  • Die Kapazität von Kondensatoren int RC-Gliedern und Schwingkreisen deutlich über der Streukapazität von 10pF halten. Genaue Werte sind von 1nF bis 100nF sehr gut realisierbar, bis 10µF machbar.
  • Vorwiderstände für LEDs können wie folgt berechnet werden: [math]\mathrm{R_{LED}}=\frac{\mathrm{U_{in}} - \mathrm{U_{LED}}}{\mathrm{I_{LED}}}[/math]


Aktive Bauteile

  • Die Hälfte der angegebenen maximalen Verlustleistung bei Leistungstransistoren kann man nutzen
  • Die Parameter von Leistungstransistoren verschlechtern sich bei einem Strom der den halben Maximalstrom übersteigt
  • Wird ein Transistor als Schalter benutzt, so ist er bei einem Basisstrom von 1mA und [math]\mathrm{U_{BE}}= 0.7\mathrm{V}[/math] voll durchgesteuert.

Grundschaltungen

  • Die Zeitkonstante [math]\tau[/math] von einem RC-Glied kann durch [math]\tau=R\cdot C[/math] ([math][s]=[\Omega]\cdot[F][/math]) errechnet werden.
    • Ein RC-Glied wird nach [math]5\tau[/math] als vollständig geladen angesehen (ca. 99%)
  • Ein Netztrafo mit 10VA hat ca. 1W an Leerlaufverlustleistung


Mechanik

Bohrungen

  • Wenn der Bohrungsdurchmesser [math]\mathrm{D}[/math] grösser als 10mm ist, mit [math]\frac{1}{3}\mathrm{D}[/math] vorbohren.
  • Die Drehzahl für Automatenstahl errechnet sich aus [math]\omega = \frac{8000}{\mathrm{d_{Bohrer}}}[/math] in mm.
  • Zum Vorbohren bei Gewinden: [math]\mathrm{D}=\mathrm{Nenndurchmesser} - \mathrm{Steigung}[/math]
  • Gewindebohrungen mit [math]1.05 \cdot \mathrm{Nenndurchmesser}[/math] senken

Gewinde

  • Um bei Verschraubungen die volle Festigkeit zu erreichen, gelten folgende Einschraubtiefen:
    • Stahl: Gewindeaußendurchmesser x 1 (z.B: bei M3 --> 3mm Gewindetiefe)
    • Alu: Gewindeaußendurchmesser x 2.5 (z.B: bei M3 --> 7,5mm Gewindetiefe)


Sonstiges

  • Der Durchschnittsdaumen ist ca. 1 Zoll breit und sein Fingernagel 1mm stark
  • Vieles verdoppelt sich bei 10°C Temperaturerhöhung: Leckstrom von Dioden oder Transitoren, CMOS OPs, CMOS Schaltern; Selbstentladung von Akkus; Dampfdruck von Wasser oder die Geschwindigkeit von Chemischen Reaktionen
  • Anderes halbiert sich hingegen bei 10°C Temperaturerhöhung: Lebensdauer von Halbleitern oder Elkos, Zeit zum Entwickeln bzw. Atzen, Haltbarkeit von Paltinenmaterial, Batterien oder von einigen Lebensmitteln.

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