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* Variante 1: p-Kanal-MOSFET in Reihe mit der positiven Spannungsversorgung (Vcc) | * Variante 1: p-Kanal-MOSFET in Reihe mit der positiven Spannungsversorgung (Vcc) | ||
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* Variante 2: n-Kanal-MOSFET in Reihe mit der negativen Spannungsversorgung (GND) | * Variante 2: n-Kanal-MOSFET in Reihe mit der negativen Spannungsversorgung (GND) | ||
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− | ** Nachteile: | + | ** Nachteile: Mindestspannung ca. 5 V, mit Logic-Level Fets ca. 3 V, teurer als Diode |
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== Verpolungsschutz mit anderen Bauteilen == | == Verpolungsschutz mit anderen Bauteilen == |
Version vom 11. Dezember 2008, 21:08 Uhr
Dieser Artikel ist noch lange nicht vollständig. Der Auto/Initiator hofft das sich weitere User am Ausbau des Artikels beteiligen.
Das Ergänzen ist also ausdrücklich gewünscht! Besonders folgende Dinge würden noch fehlen: Was Euch noch dazu einfällt |
Ein Verpolungsschutz wird in der Spannungsversorgung eines Verbrauchers (Gerätes) eingesetzt. Die Schutzschaltung verhindert entweder die falsche Polarität oder begrenzt den durch diese Verpolung entstehenden Schaden.
Inhaltsverzeichnis
Verpolungsschutz mit Dioden
- Variante 1: Eine Diode wird in Reihe mit der Versorgungsspannung geschaltet.
- Funktion: Bei Verpolung sperrt die Diode, der Verbraucher erhält keinen Strom.
- Vorteil: Nur eine Diode nötig.
- Nachteil: Verlustleistung, Spannungsabfall, Durchlaßstrom der Diode müssen beachtet werden.
- Variante 2: Eine Diode wird antiparallel zur Versorgungsspannung geschaltet. Zusätzlich eine Sicherung in der Zuleitung.
- Funktion: Bei Verpolung schließt die Diode die Versorgungsspannung kurz. Die Sicherung spricht an und verhinder den echten Kurzschluss sowie das Durchbrennen der Diode.
- Vorteil: Bei korrekter Polung hat die Schutzschaltung keinen Einfluß auf den Rest der Schaltung.
- Nachteil: Bei Verwendung von normalen Sicherungen ist nach einer Verpolung ein Wechsel notwendig.
Verpolungsschutz mit MOSFETs
- Variante 1: p-Kanal-MOSFET in Reihe mit der positiven Spannungsversorgung (Vcc)
- Vorteil: geringer Spannungsabfall
- Nachteile: Mindestspannung ca. 5 V, teurer als Diode oder N-MOSFET
- Variante 2: n-Kanal-MOSFET in Reihe mit der negativen Spannungsversorgung (GND)
- Vorteil: geringer Spannungsabfall
- Nachteile: Mindestspannung ca. 5 V, mit Logic-Level Fets ca. 3 V, teurer als Diode
Verpolungsschutz mit anderen Bauteilen
- Variante 1: Vorgeschalteter Brückengleichrichter.
- Funktion: siehe Gleichrichter
- Vorteil: Es liegt immer die richtige Polarität am Verbraucher an.
- Nachteil: Spannungsabfall und Verlustleistung am Brückengleichrichter
- Variante 2: Relais schaltet mit Hilfe einer Diode die Versorgungsspannung zum Verbraucher.
- Vorteil: Kaum Spannungsabfall an den Schaltkontakten.
- Nachteile: Aufwendig. Zusätzliche Verlustleistung in der Relaisspule.
Links
Autor
--Williwilli 14:54, 11. Dez 2008 (CET)