Fototransistoren sind eine Art von Transistoren, die auf einfallendes Licht reagieren. Der Basis-Anschluß ist bei Fototransistoren optisch zugänglich.
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Aufbau und Funktion
Wie die Fotodiode arbeitet auch der Fototransistor mit einer Halbleiterstrecke, die bei Einfall von Licht ihre Eigenschaften ändert. Es handelt sich dabei um die Basis-Kollektor-Strecke, die als Fotodiode fungiert und den Basisstrom für den Fototransistor erzeugt. Der Fototransistor wird somit nur über das einfallende Licht gesteuert. Wenn also Licht auf einen Fototransistor fällt, dann erhöht sich der Strom, der zwischen Kollektor und Emitter fließt.
Die spektrale Empfindlichkeit von Fototransistoren ist mit der von Fotodioden vergleichbar, d.h. Fototransistoren aus Silizium haben ihr Maximum bei etwa 800 nm, solche aus Germanium bei etwa 1.500 nm. Beide Wellenlängen liegen somit im Infrarotbereich.
Fototransistoren haben ein lichtdurchlässiges Gehäuse, bei dem das Licht auf die Basis-Kollektor-Sperrschicht fallen kann. Die Empfindlichkeit ist jedoch auch vom verwendeten Material das Transistorgehäuse abhängig, ein transparentes Gehäuse hat eine breitere Empfindlichkeitskurve als ein schwarzes Epoxy-Gehäuse (IR Filter).
Der Vorteil des Fototransistors gegenüber der Fotodiode ist die wesentlich höhere Empfindlichkeit, denn der Fotostrom wird wie bei einem normaler bipolarer Transistor um etwa den Faktor 200 verstärkt. Allerdings ist die Trägheit von Fototransistoren höher als die von Fotodioden: Die Grenzfrequenz eines Fototransistors liegt mit etwa 250 kHz wesentlich niedriger, bei Foto-Darlington-Transistoren liegt diese sogar nur bei ca. 30 kHz. Bei der typischen eher hochohmigen Beschaltung liegt die Grenzfrequenz sogar noch deulich niedriger.
Anwendungsbeispiele
Bei manchen Fototransistoren ist der Basisanschluss trotzdem herausgeführt. Dadurch ist eine Arbeitspunktstabilisierung oder schnellers Schaltverhalten möglich.
Die Empfängerseite der meisten Optokoppler ist ein Fototransistor.
Für die Auswertung als analoges Signal wird der Fototransistor gegen VCC geschaltet und ein Arbeitswiderstand (z.B. 10 KOhm) nach GND. Die Spannung am Widerstand ist dann näherungsweise proportional zur Helligkeit. Die Linearität ist besser als bei einem LDR, aber schlechter als bei einer Fotodiode.
t.b.c.
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Autor
--Williwilli 20:26, 17. Okt 2008 (CEST)
