H-Brücke mit FET
Eine Anmerkung zu dieser Schaltung: wenn die Betriebsspannung die Summe der Threshold-Spannungen von N- und P-Kanal-MOSFET überschreitet (hier: 2,1V für den BUZ11 und 2V für den IRF5305), kommt es während der Umladephase der Gates über den 2,2k-Widerstand *zwangsläufig* zum Leiten beider MOSFETs eines Brückenzweiges, es fliesst dann ein erheblicher Querstrom, zwar nur für kurze Zeit, aber schon bei geringer PWM-Frequenz führt dieser zur Erhitzung und ggf. Zerstörung des MOSFETs, ganz abgesehen von den Störungen auf der Versorgungsspannung, die durch diese periodischen Kurzschlüsse entstehen. Bitte so *nicht* aufbauen, sondern N-Kanal-MOSFETs und Brückentreiber (IR2110-Familie, IR218x-Familie, HIP408x usw) einsetzen, wenn ihr keinen triftigen Grund habt, es anders zu machen! (shaun)
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| aktuell | 15:41, 19. Jul. 2006 | | 799 × 582 (34 KB) | Frank (Diskussion | Beiträge) | H-Brücke |
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