Faustregeln

Elektronik

Passive Bauteile

• Die Kapazität von Pufferkondensatoren sollte in µF ( $$10^{-6}F$$ ) in etwa dem Peak-Strom in mA ( $$10^{-3}A$$ ) entsprechen
• Die Ripple-Spannung, die ein Widerstand erzeugt, lässt sich mit $$\mathrm{V_{ripple}}=10^{-3}\cdot \frac{\mathrm{nV}}{\mathrm{\Omega}\sqrt{\mathrm{Hz}}}\cdot \mathrm{R} \cdot \sqrt{\mathrm{f}}$$ berechnen
• 1 cm Kabel hat in etwa 1pF Kapazität (unabhängig vom Kabeltyp)
• Die Kapazität von Kondensatoren int RC-Gliedern und Schwingkreisen deutlich über der Streukapazität von 10pF halten. Genaue Werte sind von 1nF bis 100nF sehr gut realisierbar, bis 10µF machbar.
• Vorwiderstände für LEDs können wie folgt berechnet werden: $$\mathrm{R_{LED}}=\frac{\mathrm{U_{in}} - \mathrm{U_{LED}}}{\mathrm{I_{LED}}}$$

Aktive Bauteile

• Die Hälfte der angegebenen maximalen Verlustleistung bei Leistungstransistoren kann man nutzen
• Die Parameter von Leistungstransistoren verschlechtern sich bei einem Strom der den halben Maximalstrom übersteigt
• Wird ein Transistor als Schalter benutzt, so ist er bei einem Basisstrom von 1mA und $$\mathrm{U_{BE}}= 0.7\mathrm{V}$$ voll durchgesteuert.

ICs

• Ein gut gemeinter Verstärker wird schnell zum Oszillator

Grundschaltungen

• Die Zeitkonstante $$\tau$$ von einem RC-Glied kann durch $$\tau=R\cdot C$$ ( $$[s]=[\Omega]\cdot[F]$$ ) errechnet werden.
  • Ein RC-Glied wird nach $$5\tau$$ als vollständig geladen angesehen (ca. 99%)
• Ein Netztrafo mit 10VA hat ca. 1W an Leerlaufverlustleistung

Mechanik

Bohrungen

• Wenn der Bohrungsdurchmesser $$\mathrm{D}\lt/math\lt grösser als 10mm ist, mit \ltmath\gt\frac{1}{3}\mathrm{D}$$ vorbohren.
• Die Drehzahl für Automatenstahl errechnet sich aus $$\omega = \frac{8000}{\mathrm{d_{Bohrer}}}$$ in mm.
• Zum Vorbohren bei Gewinden: $$\mathrm{D}=\mathrm{Nenndurchmesser} - \mathrm{Steigung}$$
• Gewindebohrungen mit $$1.05 \cdot \mathrm{Nenndurchmesser}\lt/math\lt senken = Sonstiges = * Der Durchschnittsdaumen ist ca. 1 Zoll breit und sein Fingernagel 1mm stark * Vieles verdoppelt sich bei 10°C Temperaturerhöhung: Leckstrom von Dioden oder Transitoren, CMOS OPs, CMOS Schaltern; Selbstentladung von Akkus; Dampfdruck von Wasser oder die Geschwindigkeit von Chemischen Reaktionen * Anderes halbiert sich hingegen bei 10°C Temperaturerhöhung: Lebensdauer von Halbleitern oder Elkos, Zeit zum Entwickeln bzw. Atzen, Haltbarkeit von Paltinenmaterial, Batterien oder von einigen Lebensmitteln$$