Wie die Fotodiode arbeitet auch der Fototransistor mit einer Halbleiterstrecke, die bei Einfall von Licht ihre Eigenschaften ändert. Es handelt sich dabei um die Basis-Kollektor-Strecke, die als Fotodiode fungiert und den Basisstrom für den Fototransistor erzeugt. Der Fototransistor wird somit nur über das einfallende Licht gesteuert. Wenn also Licht auf einen Fototransistor fällt, dann erhöht sich der Strom, der zwischen Kollektor und Emitter fließt. Der Fototransistor arbeitet somit wie ein normaler bipolarer Transistor, durch die Transistorstufe kommt zudem die Empfindlichkeitsverstärkung zum Tragen, die etwa der Gleichstromverstärkung B entspricht.
Die spektrale Empfindlichkeit von Fototransistoren ist mit der von Fotodioden vergleichbar, d.h. Fototransistoren aus Silizium haben ihr Maximum bei etwa 800 nm, solche aus Germanium bei etwa 1.500 nm. Beide Wellenlängen liegen somit im Infrarotbereich.
Fototransistoren haben ein lichtdurchlässiges Gehäuse, bei dem das Licht auf die Basis-Kollektor-Sperrschicht fallen kann. Die Empfindlichkeit ist jedoch auch vom verwendeten Material das Transistorgehäuse abhängig, ein transparentes Gehäuse hat eine breitere Empfindlichkeitskurve als ein schwarzes Epoxy-Gehäuse.
Der Vorteil des Fototransistors gegenüber der Fotodiode ist die wesentlich höhere Empfindlichkeit, weil die Basis-Kollektorstrecke durch den Lichteinfall beeinflusst wird. Allerdings ist die Trägheit höher als die der Fotodiode: Die Grenzfrequenz eines Fototransistors liegt mit etwa 250 kHz wesentlich niedriger, bei Foto-Darlington-Transistoren liegt diese sogar nur bei ca. 30 kHz.
Bei manchen Fototransistoren ist der Basisanschluss trotzdem herausgeführt. Dadurch ist eine Arbeitspunktstabilisierung möglich.
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--Williwilli 20:26, 17. Okt 2008 (CEST)