Abkürzungsliste

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A

ABS

"Acrylnitril-Butadien-Styrol-Copolymerisat" ist ein synthetisches Terpolymer aus drei unterschiedlichen Monomerarten.

AGC

"Automatic Gain Control": Automatische Verstärkerabgleich, etwa bei Funk- oder Infrarot-Empfängern.

ARM

"Advanced RISC Machines": 32-bit Micrcontroller-Familie und Markenname, designt von der gleichnamigen Firma. Hergestellt in Lizenz von unterschiedlichen Hardware-Herstellern, jedoch nicht von ARM selbst.

AVR

(ungeklärt) "Advanced Virtual RISC" oder "Alf og Vegard RISC", "bedeutungslos" laut Atmel: In der Mitter der Neunziger Jahren des 20. Jahrhunders komplett neudesignte 8-bit Microcontroller-Architektur durch die Studenten Alf-Egil Bogen und Vegard Wollan. Aufgekauft von Atmel. Markenname.

C

CAD

"Computer aided Design" Computerunterstütztes entwerfen von z.B. Schaltungen (Leiterbahnen) die man später auf eine Platine fräst.

E

EEPROM

"Electrically Erasable Programmable Read Only Memory" Nur-Lese-Speicher, der durch Programmierung löschbar ist.

EPROM

"Erasable Programmable Read Only Memory" Nur-Lese-Speicher, der durch UV-Licht löschbar ist.

F

FET

"Field Effect Transistor", auch "Feldeffekttransistor": ein unipolarer Transistor im Gegensatz zum bipolaren Transistor.

G

GND

"Ground": Masse einer Schaltung, auf die sich andere Potentiale beziehen. Damit liegt GND selber auf 0V. Alle GND-Symbole eines Schaltplans sind miteinander verbunden, auch wenn im Schaltplan keine Verbindung zwischen ihnen eingezeichnet wurde, um die Übersichtlichkeit zu erhöhen.

GPR

"General Purpose Register": Allgemeine Arbeitsregister in AVR-Microcontrollern

I

I2C

"Inter Integrated Circuit" gesprochen "I Quadrat C" bzw. "I square C": Von Philips entwickelter synchroner 2-Draht Bus.

IC

"Integrated Circuit" (Integrierter Schaltkreis) ist eine elektronische Schaltung aus Transistoren, Kondensatoren, Widerständen und Induktivitäten, die vollständig in bzw. auf einem einzigen Stück Halbleitersubstrat integriert ist.

IDE

"Integrated Delevopment Environment": Integrierte Entwicklungsumgebung mit grafischer Benutzerschnittstelle (GUI).

IGBT

"Insulated Gate Bipolar Transistor": Leistungstransistor. Hybrid aus bipolarem Transistor und FET.

IR

"Infra Red" bzw. "Infrarot": Oft in Wort-Zusammensetzungen: IR-Diode, IR-Empfänger, IR-Fernbedienung.

IRQ

"Interrupt Request": Unterbrechungsanforderung einer Hardware in Reaktion auf ein bestimmtes Ereignis. Gegebenenfalls wird in ein spezieller Code (ISR) zur Ausführung gebracht.

ISP

"In System Programming" bzw. "In System Programmable": Möglichkeit und Verfahren, eine reprogrammierbare Hardware neu zu programmieren, ohne diese dafür aus dem Zielsystem zu entfernen. Die entsprechende Hardware muss ISP unterstützen. Gleiches gilt für die Hard- und Software, die zur Programmierung dient.

ISR

"Interrupt Service Routine": Code, der beim Auftreten freigeschalteter Ereignisse (IRQ) ausgeführt wird. Dazu wird der normale Programmfluss unterbrochen, die ISR ausgeführt, und danach das Programm an der unterbrochenen Stelle fortgeführt.

L

LCD

"Liquid Crystal Display": Flüssigkristall-Anzeige. Praktisch trägheitslos ansteuerbare Anzeigen. Durch Anlegen eines elektrischen Feldes an eine zwischen durchsichtigen Elektroden befindliche Flüssigkeit, dreht diese die Polarisationsrichtung von Licht. Sichtbar wird diese Drehung durch Montieren eines Polarisationsfilters vor das LCD.

LDR

"light dependent resistor" Lichtabhängiger Widerstand, leitet bei hoher Lichteinstrahlung besser als bei niedriger.

LED

"Light Emitting Diode": Lumineszenz-Diode, auch Leuchtdiode. Halbleiter-Bauelement. Beim Durchgang von Ladungsträgern durch die Sperrschicht wird die aufgrund der Bandlücke freiwerdende Energie in Form von Licht abgestrahlt. Wellenlängenbereich vom nahen Infrarot (IR-Diode) über den sichtbaren Bereich des elektromagnetischen Spektrums bis hin zum nahen Ulraviolett (UV-Diode).

M

MISO

"Master In, Slave Out": Unidirektionale Datenleitung vom Slave zum Master beim SPI-Bus.

MOSI

"Master Out, Slave In": Unidirektionale Datenleitung vom Master zum Slave beim SPI-Bus.

MOSFET

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (engl. für „Metall-Oxid-Halbleiter-/-Silizium-Feldeffekttransistor“). Form eines FETs

N

NTC

"Negative Temperature Coefficienct": Temperaturabhängiger Widerstand, leitet bei hohen Temperaturen besser als bei niedrigen.

P

PPM

"Pulse Position Modulation":, auch "Pulspositionsmodulation": Ein Modulationsverfahren.

ppm

"part per million": Eins auf eine Million, Faktor 1 : 1000000. Oft in Toleranzangaben, etwa bei Schwingquarzen.

PTC

"Positive Temperature Coefficient" Temperaturabhängiger Widerstand, leitet bei niedrigen Temperaturen besser als bei höheren.

PWM

"Pulse Width Modulation", auch "Pulsweitenmodulation": Ein Modulationsverfahren.

S

SCK

"Serial Clock": Serielle, unidirektionale Taktleitung bzw. serielles Taktsignal beim SPI-Bus.

SCL

"Serial Clock": Serielle Taktleitung bzw. serielles Taktsignal beim I2C-Bus (auch: IIC-Bus oder TWI-Bus). Jeder Teilnehmen am Bus kann das SCL Signal auf 0 ziehen (wired AND, Clock Stretching).

SDA

"Serial Data": Serielle Datenleitung bzw. serielles Datensignal beim I2C-Bus (auch: IIC-Bus oder TWI-Bus). Jeder Master am IIC-Bus kann das Signal auf 0 ziehen (wired AND, Arbitration).

SFR

"Special Funtion Register": I/O Kontrollregister in AVR-Microcontrollern

SMD

"Surface Mounted Device": Bauteil, das auf einer Seite einer Platine auf deren Oberfläche gelötet ist bzw. gelötet werden kann.

SMT

"Surface Mount Technology": Technik, bei der SMD-Bauteile einseitig auf der Oberfläche einer Platine kontaktiert werden, im Gegensatz zur Durchsteck-Technik, die Bohrungen erfordert.

SPI

"Serial Peripheral Interface": Serielles, synchrones Bussystem mit den Leitungen SCK (Takt), MOSI, MISO (Daten), SS (Steuerleitung(en) zur Slave-Auswahl und Synchronisation).

SS

"Slave Select": Steuerleitung zur Auswahl/Synchronisation eines Slave am SPI-Bus.

V

VCC

"Voltage at Collectors": Digitale Versorgungsspannung, typischerweise zwischen +4.5V und +5V. Je nach Schaltung sind auch andere positive Werte möglich. Alle VCC-Symbole eines Schaltplans sind miteinander verbunden, auch wenn im Schaltplan keine Verbindung zwischen ihnen eingezeichnet wurde, um die Übersichtlichkeit zu erhöhen.

VDD

"Voltage at Drains": Positive Versorgungsspannung für MOS-Bauteile. Alle VDD-Symbole eines Schaltplans sind miteinander verbunden, auch wenn im Schaltplan keine Verbindung zwischen ihnen eingezeichnet wurde, um die Übersichtlichkeit zu erhöhen.

VSS

"Voltage at Sources": Negative Versorgungsspannung für MOS-Bauteile. Alle VSS-Symbole eines Schaltplans sind miteinander verbunden, auch wenn im Schaltplan keine Verbindung zwischen ihnen eingezeichnet wurde, um die Übersichtlichkeit zu erhöhen.