Der Feldeffekttransistor, meist als FET (Field Effect Transistor) bezeichnet, ist ein unipolarer Transistor. Unipolar daher, weil im Gegensatz des bipolaren Transistors, je nach Typ, entweder nur Löcher oder Elektronen am Energietransport beteiligt sind.
Der FET hat 3 Anschlüsse, Source (Zufluss, Quelle), Gate und Drain (Abfluss). Ein vierter Anschluss Bulk (Substrat) ist bei Einzeltransistoren mit Source verbunden und nicht extra herausgeführt.
Durch ein elektrisches Feld, hervorgerufen durch eine Steuerspannung zwischen Gate und Source, wird die Leitfähigkeit des Source-Drain-Kanals des Feldeffekt-Transistors beeinflusst. Je nach benutztem Effekt wird unterschieden zwischen MOSFET und JFET (Junction- oder Sperrschicht-FET). JFETs nutzen einen in Sperrrichtung betriebenen p-n-Übergang, um das elektrische Feld zu bilden. Theoretisch kann der auch in Flussrichtung betrieben werden, was allerdings den Vorteil der leistungslosen Ansteuerung zunichte macht.
Es gibt folgende Formen von FET's
- Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor (JFET)
- Schottky-Feldeffekt-Transistor (MESFET)
- Metalloxidhalbleiter-Feldeffekt-Transistor (MOSFET)
- High Electron Mobility Transistor (HEMT)
- Ionen-Sensitiver Feldeffekt-Transistor (ISFET)
- Organischer Feldeffekttransistor (OFET)
Eine typische FET-Schaltstufe:
